锗管24放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是。A：电流正反馈B：电流负反馈C：电压正反馈D：电压负反馈25可控硅的正向阻断是。A：可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压
fC：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压D：可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压
26一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC10∠10°安，则线电流I安。
A：173∠40°B：10∠160°C：10∠80°D：173∠80°27单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是。A：U2B：U22C：U2045U228所有条件都具备，才有肯定的结论，这是逻辑。A：与非B：或非C：与D：非29单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在之间连续可调。A：0045U2B：009U2C：0U2D：0234U230已知：I141si
100πtA，其电流相量IA。A：141∠0°B：141∠180°C：10∠0°D：10∠180°31可控硅导通条件是。A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压D：阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压32晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于工作状态。
fA：放大B：截止C：饱和D：开路33晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为。A：饱和B：截止C：放大D：导通34已知e311si
314t5°V，其相量E。A：311∠5°B：220∠5°C：220∠185°D：220∠175°35戴维南定理只适用于。A：外部为非线性电路B：外部为线性电路C：内部为线性含源电路D：内部电路为非线性含源电路36可控硅有PN结组成。A：1个B：2个C：3个D：4个37电容器的电流ICΔUCΔt，当UC增大时，电容器为。A：充电过程并吸取电能转换为电场能B：充电过程并吸取电场能转换为电能C：放电过程并由电场能释放为电能D：放电过程并由电能释放为电场能38晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位07V，发射极接地，则该三极管为型。A：NPNB：PNPC：ND：P39已知：电流I6j8，电源频率为50Hz，其瞬时值表达式为I。A：10si
314t531°B：10si
314t369°C：10si
314t531°D：10si
314t369°
f40共发射极放大器，集电极电阻RC的作用是。A：实现电流放大B：晶体管电流放大转变速器成电压放大C：电流放大与电压放大D：稳定工作点41三相电源Y连接，已知UB220∠10°伏，其UAB伏。A：220∠20°B：220∠140°C：380∠1r