转载转载半导体硅片的化学清洗技术
半导体硅片的化学清洗技术
对太阳能级硅片有借鉴作用一硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥04μm颗粒，利用兆声波可去除≥02μm颗粒。C金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。a使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。b用无害的小直径强正离子（如H）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。c用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。⑵美国原CFM公司推出的FullFlowsystems封闭式溢流型清洗技术。⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfi
gerMach2清洗系统）。⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304DSS清洗系统）。⑸曰本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹以HFO3为基础的硅片化学清洗技术。目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H的来源用于清除金属离子。SC1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Z
、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。为此用SC1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。SC2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子
f与CL作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除在r