量一般为1×1016个厘米3至3×1016个厘米3，单晶炉热系统的石墨器件和保护气氛（氩气）中残留的氧在高温下进行化学反应。CO22CO2COO22CO2石英坩埚在高温下和石墨反应SiO22CSiCCO2SiO22CSiCCO在高温下主要要以一氧化碳形成存在，一氧化碳溶入硅中使硅单晶中的氧含量增高。CO和CO2在不同温度下的平衡组成T°K平衡组成（）COCO21200°982181300°995051400°99840161500°9994006CO2CO22COCO2C
碳在硅中的分凝系数很小，一般认为是007，使单晶尾部含碳量增高。直拉硅单晶工艺中，经常采用下列措施降低单晶中的氧碳含量：一、选用含氧、碳较低的多晶硅原料，多晶硅熔化时温度不要太高，尽量降低多晶硅和坩埚的反应，减少一氧化碳和一氧化硅的生成。二、在真空下生长的硅单晶一般氧碳含量较低，在氩气下拉晶时，氩气中含氧、碳和水份通过氩气带出炉外，降低单晶炉内一氧化碳和一氧化硅的分压，减少它们溶入熔硅的量；减压法拉晶既使单晶炉保持低的压强，又使炉内氩气交换迅速，可以降低硅单晶的氧碳含量。三、坩埚和单晶直径比例要适当，硅单晶生长过程中，石英坩埚中的熔硅表面是低氧区，熔硅和坩埚接触部分是高氧区，中部熔硅为过渡区，坩埚和单晶直径比例适当，一方面使一氧化碳和一氧化硅挥发快，溶入熔硅量减少；另一方面单晶无离坩埚壁附近的高氧区，单晶氧碳含量自然减少。晶体和坩埚旋转严重影响单晶中的氧含量。晶体和坩埚旋转，使熔硅的搅拌作用增强，高氧区熔硅和低氧区熔硅混合，从而使单晶中氧含量增加。如果晶体和坩埚旋转产生的强迫对流刚好抑制熔硅产生的自然对流，单晶中的氧含量不但不会增加，反而减少。在一定的硅单晶生长条件下，合适的晶体和坩埚旋转速非常重要。拉晶速度增加，单晶硅中氧含量一般说来增加，当位速度大于一定值后，单晶中氧反而
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f降低。拉晶速度大时，单晶生长速度快，熔硅表面一氧化硅蒸发时间短。导致单晶氧含量增加，拉速很大时，影响熔硅流动，熔体表面低氧区中的熔硅很容易对流到生长界面处，使硅单晶中含氧量降低。偏心法拉晶可以降低单晶中的氧含量。偏心拉晶时，单晶的生长界面不断地经过熔硅表面低氧区，熔硅表面被单晶永远覆盖区大大减小，一氧化硅和一氧化碳蒸发量增大，单昌中氧含量减少。单晶中氧含量自然减少，是直拉硅单晶生产中一个比较重要的问题。氧在单晶中作用虽然看法不同，但氧在单晶中的均匀生产中比较重视。碳在硅单晶形成SiC沉淀，容易诱生微缺陷，使单晶性能变差，在单晶拉r