过程中CVD技术也还存在一些缺陷：1反应温度较高，沉积速率较低，难以局部沉积；
f2参与沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性；3镀层很薄，已镀金属不能再磨削加工，如何防止热处理畸变是一个很大的难题，这也限制了CVD法在钢铁材料上的应用而多用于硬质合金。四、化学气相沉积技术的应用1、制备超细陶瓷材料、超细粉表面积大烧结温度降低，可以使其成为一种有效的烧结添加剂。如氮化铝是一种非常重要的高导热陶瓷，做成集成元件的基板取代现有的基板材料，可以提高导热率，从而可以解决当集成元件的集成度提高时所带来的热难以迅速散发出去的问题。但是，氮化铝的稠密烧结非常困难，需靠添加氧化物烧结剂来使氮化铝稠密烧结，大量添加氧化物会使氮化铝中第二相增多，反而降低整体的导热率。添加5～10的氮化铝超细粉，一方面可以利用烧结驱动力大的特点促进氮化铝烧结，另一方面也可以减少第二相，对提高氮化铝的导热率有较好的效果。除此之外。像碳化钨，碳化硅，氮化硅等都可以通过添加这些物质的纳米粉的方法来促进烧结。2、制备晶体或晶体薄膜、由于现代科学技术对无机新材料的迫切需求，晶体生长领域的发展十分迅速。化学气相沉积法不仅能极大改善某些晶体或晶体薄膜的性能，而且还能制备出许多其他方法无法制备的晶体，由于化学气相沉积法具有设备相对简单，操作方便，适应性强的特点，因而成为无机新晶体主要的制备方法之一，广泛应用于新晶体的研究与探索。
fCVD最主要的应用之一是在一定的单晶基体上沉积外延单晶层。最早的气相外延工艺是硅外延生长，其后又制备出外延化合物半导体层。气体外延技术亦广泛用于制备金属单晶薄膜及一些化合物单晶薄膜。3、制备梯度功能材料、梯度功能材料是为了适应未来新技术、新设备发展的需要，在80年代后期发展起来的一类组成、结构与性能呈连续变化的高性能材料。首先在航空、航天领域中获得了系统的研究和实际应用。随着科学技术的进步及相关工业的发展，在机械工程的设计、制造中也普遍采用了梯度功能材料。目前的梯度功能材料制备方法有粉末铺层法、薄膜沉积法、CVD法、等离子喷涂法、自蔓延燃烧法等。在这些方法中，由于CVD能按设计要求精确地控制材料的组成、结构和形态，并能使组成、结构与形态从一种组分到另一种组分连续变化，无需烧结等处理即可制备出致密的、性能优异的梯度功能材料，因而倍受人们的重视。目前，已用CVD方法成功地制备出碳碳化硅r