和α粒子的动能1318分近代的材料生长和微加工技术，可制造出一种使电子的运动限制在半导体的一个平面内二维的微结构器件，且可做到电子在器件中像子弹一样飞行，不受杂质原子射散的影响这种特点可望有新的应用价值图l所示为四端十字形二维电子气半导体，当电流从l端进人时，通过控制磁场的作用，可使电流从23，或4端流出对下面摸拟结构的研究，有助于理解电流在上述四端十字形导体中的流动在图2中，a、b、c、d为四根半径都为R的圆柱体的横截面，彼此靠得很近，形成四个宽度极窄的狭缝1、2、3、4，在这些狭缝和四个圆柱所包围的空间设为真空存在匀强磁场，磁场方向垂直于纸面指向纸里以B表示磁感应强度的大小一个质量为m、电荷量为q的带正电的粒子，在纸面内以速度v0沿与a、b都相切的方向由缝1射人磁场内，设粒子与圆柱表面只发生一次碰撞，碰撞是弹性的，碰撞时间极短，且碰撞不改变粒子的电荷量，也不受摩擦力作用试求B为何值时，该粒子能从缝2处且沿与b、c都相切的方向射出
f1420分如图所示，1N1N2M2是位于光滑水平桌面上的刚性U型金属导M轨，导轨中接有阻值为R的电阻，它们的质量为m0导轨的两条轨道间的距离为l，是质量为m的金属杆，PQ可在轨道上滑动，滑动时保持与轨道垂直，杆与轨道的接触是粗糙的，杆与导轨的电阻均不计初始时，PQ于图中的杆虚线处，虚线的右侧为一匀强磁场区向垂直于桌面，磁感应强度的大小为B导轨平面内的与轨道平行的恒力F作用之从静止开始在轨道上向右作加速运域，磁场方现有一位于于PQ上，使动已知经
过时间tPQ离开虚线的距离为x，此时通过电阻的电流为I0，导轨向右移动的距离为x0导轨的N1N2部分尚未进人磁场区域求在此过程中电阻所消耗的能量不考虑回路的自感1520分图中M1和M2是绝热气缸中的两个活塞，用轻质刚性细杆连结，活塞与气缸壁的接触是光滑的、不漏气的，M1是导热的，M2是绝热的，且M2的横截面积是M1的2倍M1把一定质量的气体封闭在气缸的L1部分，M1和M2把一定质量的气体封闭在气缸的L2的右侧为大气，大气的压强P0是恒是加热L2中气体用的电热丝初始部分，M2定的K时，两个
活塞和气体都处在平衡状态，分别以V10和V20表示L1和L2中气体的体积现通过K对气体缓慢加热一段时间后停止加热，让气体重新达到平衡态，这时，活塞未被气缸壁挡住加热后与加热前比，L1和L2中气体的压强是增大了、减小了还是未变？要求进行定量论证r