自测题一
一、判断题
1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F）
2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体（。T）
3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）
二、单选题
1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。
A．外电场
B．内电场
C．掺杂
D．热激发
2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。
A．正、反向电阻相等
B．正向电阻大，反向电阻小
C．反向电阻比正向电阻大很多倍
D．正、反向电阻都等于无穷大
3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。X轴为电压
A．右移
B．左移
C．上移
D．下移
4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。
A．增大
B．减小
C．不变
D．不确定
5．三极管β值是反映（B）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源）A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制
电压
6．温度升高时，三极管的值将（A）。
A．增大
B．减少
C．不变
D．不能确
定
7．下列选项中，不属三极管的参数是（B）。
A．电流放大系数
B．最大整流电流
C．集电极最大允许电流
D．集电极最大允许耗散功率
8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为U16V，U254V，
U312V，则对应该管的管脚排列依次是（B）。
A．ebc
B．bec
C．bce
D．cb
e
9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。
A．多数载流子
B．少数载流子
C．扩散
D．少数载流子和多数载流子共同
10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和67V，则此三极
管是（D）。（发正偏集反偏）
A．PNP型硅管
B．PNP型锗管
C．NPN型锗管
D．NPN型
硅管
11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。
A．非饱和区
B．饱和区
C．截止区
D．击穿区
12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。
A．能够形成导电沟道
B．不能形成导电沟道
C．漏极电流不为零
D．漏极电压为零
三、填空题
1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。
2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。
3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。6．三极管最重要的特性是电流放大作用。
7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流r