三氯氢硅合成工艺
7t0u0x8Q
31三氯氢硅的性质
1UP6zX2obJ
三氯氢硅别名为硅氯仿、硅仿、三氯硅烷；英文名：Trichlorosila
e、Silicochloroform．三氯氢硅沸点为318℃，熔点为1265℃，自燃温度为185℃，在空气密度为1时，蒸汽相对密度为47，在空气中爆炸极限为12905体积分数。主要用途为单晶硅原料、外延成长、硅液、硅油、化学气相淀积、硅酮化合物制造、电子气。主要制备方法：1在高温下Si和HCl反应。2用氢还原四氯化硅采用含铝化合物的催化剂。
三氯氢硅在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。在空气中极易燃烧，在18℃以下也有着火的危险，遇明火则强烈燃烧，燃烧时发出红色火焰和白色烟，生成SiO2、HCl和Cl2；
4N3CE7P3Ti
反应方程式为：
V7Sy4x7Z4t
SiHCl3O2→SiO2HClCl2；
1hxK2O
三氯氢硅的蒸汽能与空气形成浓度范围很宽的爆炸性混合气，受热时引起猛烈的爆炸。它的热稳定性比二氯硅烷好，在900℃时分解产生氯化物有毒烟雾HCl，还生成Cl2和Si。
f遇潮气时发烟，与水激烈反应，反应方程式为：
2SiHCl33H2O→HSiO2O6HCl；
在碱液中分解放出氢气，反应方程式为：
SiHCl33NaOHH2O→SiOH43NaClH2↑；
与氧化性物质接触时产生爆炸性反应。与乙炔、烃等碳氢化合物反应产生有机氯硅烷，反应方程式为：
SiHCl3CH≡CH→CH2CHSiCl3
SiHCl3CH2CH2→CH3CH2SiCl3
在氢化铝锂、氢化硼锂存在条件下，SiHCl3可被还原为硅烷。容器中的液态SiHCl3当容器受到强烈撞击时会着火。可溶解于苯、醚等。无水状态下三氯氢硅对铁和不锈钢不腐蚀，但是在有水分存在时腐蚀大部分金属。
f32三氯氢硅合成的目的和意义
本岗位是将干燥的硅粉输送到流化床内，在流化床反应器内，硅粉与氯化氢气体进行合成反应，反应生成的氯硅烷混合单体经过除气、净化、冷却、加压、再冷却后送到脱气塔内，塔顶脱除低沸物氯化氢，氯化氢气体重新返回流化床循环使用，塔底混合单体经单体冷却器冷却后送入混合单体储罐中供精馏岗位使用。混合单体在精馏得到提纯后即可得到产品三氯氢硅和副产品四氯化硅。33三氯氢硅合成工艺流程简述反应方程式为：
EbQ6T5BmAv
k
Si3HCl→SiHCl3H2↑
副反应化学方程式为：
r