太阳能电池关键工艺流程简介doc8页
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晶体硅太阳电池制造关键工艺
f表面化学处理目的：※去除硅片表面由于切割而产生的机械损伤层，正反二表面各约10m；※在硅片表面形成尖峰高度3～6m四方锥体绒面，间接增加电池对入射太阳光的吸收；※清除硅片表面的油污和重金属离子等杂质；绒面形成方法：
酸腐蚀与碱腐蚀，本生产线单晶采用碱腐蚀，多晶采用酸腐蚀。设备：
化学清洗机。绒面作用：
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了对光的吸收，其反射率很低。绒面电池也称为黑体电池或无反射电池。对电池片电性能影响：
直接影响到电池片转换效率。基本化学反应原理：
去除硅片损伤层：Si2NaOHH2ONa2SiO32H2↑；制绒面：Si2NaOHH2ONa2SiO32H2↑；HCl酸去除一些金属离子。盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2、Au、3Ag、Cu、Cd2、Hg2等金属离子形成可溶于水的络合物。
f晶体硅太阳电池制造关键工艺扩散制结
目的：
形成晶体硅太阳能电池的心脏PN结，获得适合于太阳能电池P－N
结需要的结深和扩散层方块电阻。浅结死层小，电池短波响应好，但浅结
引起串联电阻增加；结深太深，死层比较明显，使电池开路电压和短路电
流均下降。实际电池制作中，考虑到各个因素，结深一般控制在03～
05m，方块电阻在20～70□。
方法：
采用液态源POCL3热扩散方式。
基本化学反应机理：
通过向P型衬底硅中掺入V族杂质P＋形成PN结。
POCl3O22P2O56Cl22P2O55Si5SiO24P
5POCl3600C3PCl5P2O54PCl55O2过量O22P2O510Cl2
影响扩散质量的因素：
扩散杂质源浓度、温度、扩散时间。
去边等离子刻蚀什么是等离子体：
所谓等离子体就是由带电的正、负电荷的粒子组成的气体，正负电荷数相等，其净电荷相等。等离子刻蚀所用的等离子体，是辉光放电形成的“电离态”气体，其中包括正离子、负离子、电子、中性原子、分子及化
f学上活泼的自由基，这种“电离态”的气体是在向气体系统中施加足以引
起电离的高能电场条件下产生的。
目的：
去除扩散过程中，在硅片的周边表面形成的扩散层。周边扩散层使电
池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短
路都会使电池并联电阻下降，以至使电池片成为废品。
方法：
等离子干法腐蚀。
原理：
等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气r