capacitor储存电容架构不同所形成不同驱动系统架构的原理。1Csstoragecapacitor储存电容的架构一般最常见的储存电容架构有两种分别是Cso
gate与Cso
commo
这两种。这两种顾名思义就可以知道它的主要差别就在于储存电容是利用gate走线或是commo
走线来完成的。储存电容主要是为了让充好电的电压能保持到下一次更新画面的时候之用。所以我们就必须像在CMOS的制程之中利用不同层的走线来形成平行板电容。而在TFTLCD的制程之中则是利用显示电极与gate走线或是commo
走线所形成的平行板电容来制作出储存电容Cs。
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图1Cso
commo
与Cso
gate的架构图1就是这两种储存电容架构从图中我们可以很明显的知道Cso
gate由于不必像Cso
commo
一样需要增加一条额外的commo
走线所以它的开口率Apertureratio会比较大。而开口率的大小是影响面板的亮度与设计的重要因素。所以现今面板的设计大多使用Cso
gate的方式。但是由于Cso
gate的方式它的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的。请见图2的Cso
gate与Cso
commo
的等效电路而gate走线顾名
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图2Cso
commo
与Cso
gate的等效电路
思义就是接到每一个TFT的gate端的走线主要就是作为gatedriver送出信号来打开TFT好让TFT对显示电极作充放电的动作。所以当下一条gate走线送出电压要打开下一个TFT时便会影响到储存电容上储存电压的大小。不过由于下一条gate走线打开到关闭的时间很短以1024768分辨率60Hz更新频率的面板来说，一条gate走线打开的时间约为20us而显示画面更新的时间约为16ms所以相对而言影响有限。所以当下一条gate走线关闭回复到原先的电压则Cs储存电容的电压也会随之恢复到正常。这也是为什么大多数的储存电容
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设计都是采用Cso
gate的方式的原因。至于commo
走线我们在这边也需要顺便介绍一下。从图2中我们可以发现不管您采用怎样的储存电容架构Clc的两端都是分别接到显示电极与commo
。既然液晶是充满在上下两片玻璃之间而显示电极与TFT都是位在同一片玻璃上则commo
电极很明显的就是位在另一片玻璃之上。如此一来由液晶所形成的平行板电容Clc便是由上下两片玻璃的显示电极与commo
电极所形成。而位于Cs储存电容上的commo
电极则是另外利用位于与显示电极同一片玻璃上的走线这跟Clc上的commo
电极是不一样的只不过它们最后都是接到相同的电压就是了。2．整块面板的电路架构
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