q所散射，导致电子从k态到k’态，
能量守恒要求
正常散射，N过程
倒逆散射，U过程
散射使声子传播方向发生了倒转，故称为倒逆过程或U过程。电子声子散射的基本概念及物理图像只考虑电子声子相互作用，电子面对的不是静止晶格，都在与声子相互作用中考虑。电阻就是声子与电子的相互作用的散射机制电子散射：电子从外场中吸收能量，受声子散射，与晶格交换能量与晶格相互作用，激发晶格振动声子电子通过这种形式，将能量传递给声子；当然也可以反过来，电子从晶格中吸收能量。能量传递不是主要的，主要是通过改变动量，达到平衡时，形成稳定电流本征、掺杂半导体的基本概念本征半导体中的电子是由价带电子往导带跃迁而来，故
＝p。半导体和绝缘体都可以通过掺杂来提高其电导率。从能带论的角度来看，杂质可能在禁带内产生一系列的附加能级，有的离开导带和价带比较近的，称浅能级；也有位于禁带中间位置（离开价带顶或导带底比较远）称深能级。简并半导体的能带特点简并半导体：如果半导体的施主（受主）杂质浓度非常高，施主（受主）杂质的波函数发生明显的重叠，能级分裂为能带，并可能与导带（价带）发生重叠，这时费米能级也会进入导带（价带）。称为简并（deg
erate）半导体。
f半导体的费米能级在禁带中的位置可以通过掺杂来移动。当杂质浓度非常高时，就成为简并半导体，费米能级可能进入导带或价带。非平衡载流子、准费米能级基本概念非平衡载流子是外界作用下才存在，外界因素消除后将逐步消失。产生非平衡载流子的方法：光照、注入、激子复合、从载流子本身来看，非平衡载流子与平衡载流子无太大区别。非平衡载流子是从数量上考虑的。非平衡载流子浓度随时间按指数的衰减规律。非平衡载流子复合过程大致可以分为两种：①直接复合。电子在导带和价带之间直接跃迁引起电子和空穴的直接复合；②间接复合。电子和空穴通过禁带的能级复合中心进行复合。根据复合的位置，又可区分为体内复合与表面复合两种形式。载流子复合时，一定要释放出多余的能量，放出能量的方式有三种：①发射光子。伴随着复合将有发光现象，常称为发光复合；②发射声子。载流子将多余的能量传给晶格，加强晶格振动；③将能量给予其它载流子，增加它们的动能，称为俄歇复合。准费米能级：在有非平衡载流子存在时，系统是一个稳定状态。从导带（电子）和价带（空穴）来看，是两个子系统。引入准费米能级后，非平衡状态下的载流子浓度也可以用与平r