电子技术试卷及答案
一、填空题（每空1分，共18分）
1．PN结具有时PN结导通；加
性能，即：加电压时PN结截止。
电压
2．晶体二极管因所加且出现
电压过大而
，并
的现象，称为热击穿。
3．硅晶体三极管的饱和压降约为
降约为
V。
V，锗晶体三极管的饱和压
4．一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而
。
5．表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数
有
、
和
。
6．对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要
些，以减
轻信号源的负担，输出电阻要
些，以增大带动负载的能力。
7．逻辑代数的三种基本运算
是
、
和
。
8．放大电路必须设置合适的静态工作点，否则，输出信号可能产生
。
二、判断题（每题2分，共16分）
1．在半导体内部，只有电子是载流子。（
）
2．晶体二极管击穿后立即烧毁。（
）
3．无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e
极电位，c极电位也总是高于b极电位。（
）
4．放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。（
）
5．交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表
示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（
）
6．逻辑代数中的0和1是代表两种不同的逻辑状态，并不表示数值的大小。
（
）
7．与门的逻辑功能可以理解为输入端有0，则输出端必为0；只有当输入端
全为1时，输出端为1。（
）
8．负反馈可以消除放大器本身产生的非线性失真。（
）
三、选择题（每题3分，共18分）
f1．内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（
）
A、P型半导体体
B、N型半导体
C、本征半导
2．晶体三极管的发射结正偏，集电极反偏时，则晶体三极管所处的状态是
（
）
A、放大状态态
B、饱和状态
C、截止状
3．晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管
（
）
A、发射结为反向偏置
B、集电结为正向偏置
C、始终工作在放大区
4．凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高、低电平的矩形波
脉冲信号，称为（
）
A、模拟信号号
B、数字信号
C、直流信
5．二进制数10011转换为十进制数后为（
）
A、1819
B、C、21
6．在某放大电路中测的三极管三个电极的静态电位分别为0V10V93
V则这只三极管是

A、NPN型硅管
B、NPN型锗管
C、PNP型硅管
四、问答题与计算题（48分）
1．如图示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态（NPN管为硅管，PNP管为锗管）。（每题5分，共10分）
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