不同极性搀杂的区域间都会构成PN结，而两个靠近的反方向的PN结就构成了一个双极型的晶体三极管。因此CMOS管的下面会构成多个三极管，这些三极管自身就可能构成一个电路。这就是MOS管的寄生三极管效应。如果电路偶尔中出现了能够使三极管开通的条件，这个寄生的电路就会极大的影响正常电路的运作，会使原本的MOS电路承受比正常工作大得多的电流，可能使电路迅速的烧毁。Latchup状态下器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、EOS（电过载）和器件损坏。选择电阻时要考虑什么？19选择电阻时要考虑什么？考虑电阻的阻值（最大，最小）熔点是否方便安装20电路的谐振如果外加交流电源的频率和LC回路的固有频率相同时，回路中产生的电流最大，回路L中的磁场能和C中的电场能恰好自成系统，在电路内部进行交换，最大限度的从电源吸取能量，而不会有能量返回电源，这就叫谐振。19旁路电容可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分泄露掉的电容，称做“旁路电容”。戴维南定理：20戴维南定理：一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。其理想电压源的数值为有源二端电路的两个端子的开路电压，串联的内阻为内部所有独立源等于零时两端子间的等效电阻。21无源器件无源器件21无源器件在模拟和数字电路中加以信号不会改变自已本身的基本特性如电阻有源器件有源器件在模拟和数字电路中加以信号可以改变自已本身的基本特性如三极管22旁路电容可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分泄露掉的电容，称做“旁路电容”。23场效应和晶体管比较场效应和晶体管比较：23场效应和晶体管比较：a在环境条件变化大的场合，采用场效应管比较合适。b场效应管常用来做前置放大器，以提高仪器设备的输入阻抗，降低噪声等。
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fc场效应管放大能力比晶体管低。d工艺简单，占用芯片面积小，适宜大规模集成电路。在脉冲数字电路中获得更广泛的应用。24基本放大电路的组成原则基本放大电路的组成原则：24基本放大电路的组成原则：a发射结正偏，集电结反偏。b输入回路的接法应该使输入信号尽量不损失地加载到放大器的输入端。c输出回路的接法应该使输出信号尽可能地传送到负载上。25实现放大的条件25实现放大的条件晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反偏。正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。输入回路将变化的电压转化成变化的基r