。当栅极G得到的不是高电平，而是低电平，则DS之间开关看作开路，电流不能通过。8．常听人说MOSFET的内阻是多少、多少，到底什么是MOSFET的内阻？答：如上图所示，DS之间的开关闭合时总存在一定的电阻，这个电阻相当于MOSFET的内阻，一般这个电阻很小，都在1030mΩ之间。可见，电流通过MOSFET，由于存在内阻，根据欧姆定律，必然存在电压降，从而损耗掉一部份电能，可见MOSFET的内阻应越小越好。9．除内阻外，MOS管还有哪些主要技术指标？答：MOS管有以下主要技术指标：1）漏源极耐压值：VDSS20V2）漏栅极耐压值：VDGR20V3）栅源极耐压值：VGSS12V4）漏极最大电流IDDC6APolse24A5）漏源极内阻RDSVGS2VID3A22mΩ45mΩVGS25VID3A19mΩ30mΩVGS4VID3A16mΩ20mΩ10．你能较完整地介绍一下保护PCB的工作原理吗？答：保护PCB的完整电原理图如下：
5
fΩ
IC
DO
CO
电池电压
1SVCU4275VVCL4175V充电器接入过放电状态
过充电状态
VDU24VVDL23V
125ms
T
IC工作状态（3UA）
IC休眠状态（01UA）
保护IC工作时序图上图中B是电池，P、P是电池块接充电器电源或与手机相接的正负极。充电状态：充电时，充电电流由P进入→B→MOS1→MOS2→P。在充电的同时，ic通过Vcc和R1对电池连续进行测量。当检测到电池电压充电到42V时（这个电压随不同ic而异），ic内的过充电检测电路将检测到的这个信号并将它转换
6
f成一系列的电平信号，其中的一个低电平信号传送到ic的输出端CO，促使MOS2关断，从而终止充电。放电状态：放电时，放电电流从电池正极B→P→负载（手机）→P→MOS2→MOS1→B在放电的同时，内的过放检测电路连续测量电池两端的电压，ic当电池电压随着用电时间的加长而下降到23V时（这个电压值随不同的ic而异），该检测电路输出信号，使输出端DO为低电平，从而使MOS1关断，终止电池放电。在某种特殊情况下，如果电池放电时，电流大于某一额定值，ic内的过电流检测器会输出一个低电平信号到DO端，使MOS1在515ms的时间内关断（这个值随不同的电流和不同的MOS管内阻而异）。在极端情况下，P、P端发生短路，则ic内部的短路检测电路，将会检测到这个信号，并将这个信号转换成低电平，输出到DO端，从而使MOS1在1050us的时间内关闭，从而切断电路。11．ic的功耗是怎么回事？怎样测量？答：是一个完整的电子线路，ic它在工作时要消耗掉一部份电能，当电池块在手机中工作时，ic将从锂电池中以吸取电能，可见，要求ic的功耗越小越好。icr