，导致了扩散结的发展。扩散结的形成方式与合金过程有其相似之处，即片子的表面是暴露于包括在例如气体中的相反类型的高浓度杂质源之中。不过，在这种情况下不发生相变；杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部，而固态扩散能够非常精确地加以控制。此外，还因为发现二氧化硅薄层能够有效地掩蔽大多数最重要的受主和施主杂质的扩散，因而半导体几何图形的控制精度也提高了；另外，二氧化硅薄层能钝化半导体器件表面，受周围环境影响的弱点得到了极大的克服，从而提高了器件特性的重复性和稳定性。平面工艺则兼有用固态扩散方法形成结和利用二氧化硅掩膜精确控制器件几何图形这两方面的优点。概括起来，平面工艺就是利用掩蔽膜，通过光刻出窗口控制几何图形，进行选择扩散形成PN结等，制造半导体器件的工艺。例：硅外延平面晶体管3DK4工艺流程
2
f衬底制备硼预沉积磷再分布合键总金合测
外
延
一次氧化刻发射区蒸划封铝片帽
基区光刻磷预沉积铝反刻烧结
硼再分布刻引线孔初中测测
工艺筛选
打印包装入库
图34．本实验的工艺流程
晶体管平面工艺示意图
本实验的主要目的就是应用平面工艺制作二极管。具体工艺流程如下：衬底制备一次氧化P区光刻硼预沉积
铝反刻
蒸
铝
刻引线孔
硼再分布
初
测
3
f图4
应用平面工艺制作二极管示意图
具体的实验过程可以用图4所示的步骤来表示：1首先准备一N型Si外延片，然后在Si外延片的表面氧化一层SiO2，这层SiO2既起到对杂质的屏蔽作用，又能起到绝缘等保护作用，这是实验一的内容。2通过一次光刻，在SiO2层表面刻蚀出扩散窗口，或者称为P区窗口。3以BN为源，向扩散窗口中进行B扩散。这里一般有两个过程：一是B预沉积，即，在表面杂质浓度恒定的条件下，将杂质B沉积在Si表面的一无限薄层内，通过扩散时间的控制可以决定杂质总量的多少。这一过程之后，往往要通过测量样片的方块电阻，以确定杂质总量是否合适。4二是B再分布，即，在杂质总量恒定的条件下，向Si深层进行B扩散，通过扩散时间的控制可以决定杂质扩散的深度。这一过程之后，常常要进行扩散深度的测量，又叫结深测量。5B扩散之后，含有B杂质的区域就成为P型Si，称为P区。由于B再分布过程是在通氧气的环境下进行的，因此会在P区表面形成一薄层SiO2，必须通过二次光刻，刻蚀出电极引线孔。
4
f6二次光刻后，利用真空蒸发工艺，在器件表面沉积一层金属Al作为电极。7再进行三次光刻，去掉多余r