怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。26、LOCleado
chip芯片上引线封装。封装技术之一，LSI引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。27、LQFPlowprofilequadflatpackage薄型QFP。指封装本体厚度为14mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。28、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚05mm中心距和160引脚065mm中心距的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。29、MCMmultichipmodule多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷氧化铝或玻璃陶瓷作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷氧化铝或氮化铝或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。30、MFPmi
iflatpackage小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称见SOP和SSOP。部分半导体厂家采用的名称。31、MQFPmetricquadflatpackage按照JEDEC美国联合电子设备委员会标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为065mm、本体厚度为38mm～20mm的标准QFP见QFP。32、MQUADmetalquad美国Oli
公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许25W～28W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。33、MSPmi
isquarepackageQFI的别称见QFI，在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。34、OPMACovermoldedpadarraycarrier模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称见BGA。35、P－plastic
f表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。36、PACpadarraycarrier凸点陈列载体，BGA的别称见BGA。37、PCLPpri
tedcircuitboardleadlesspackage印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN塑料LCC采用的名称见QFN。引脚中心距r