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eya）ASEMI品牌旗下常用于快充行业的，使用氮化镓材料的整流桥有多款，相比传统充
电器，有哪些优势？
1、充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙
较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更
快。
2、散热快。氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上
的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性降低。
3、体积小。氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBTMOSFET
等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度面
积远超硅基。此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈
等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。
今天就为大家详细列出常见的快充整流桥堆型号大全：
NO型号
参数
封装
封装形式
1
DB207S
2
ABS210
3
RABS210
4
TMBF310
5
TMBFR310
6
RYBS3010
7
D4KB100
8
TT8M
9
MSB307
10DBF310
11DBF410
12GBP410
13GBP408
14KBP308
15KBP310
16GBL406
17GBL408
18GBL410
19GBL606
20GBL608
21GBL610
22GBL806
23GBL808
2A1000V2A65W2A1000V3A65W3A65W3A65W4A45W8A65W3A65W3A50W4A65W4A65W4A65W3A39W3A1000V4A600V4A800V4A1000V6A600V6A800V6A1000V8A600V8A800V
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