响石墨烯的电学性质。科学家发现石墨烯是一种“透明”的导体，可以用来替代现在的液晶显示器件的ITO透明电极。纳米材料石墨烯，因其具有很多特殊性质，比如零能隙，反常的量子霍耳效应，朗道量子性等，吸引了国内外学者从凝聚态电子结构、输运性质到相对论的研究等众多方面的研究兴趣。虽然石墨烯刚刚被发现不久，目前也已经有了一定的应用领域，但是制备石墨烯的方法都比较复杂，整个工艺过程很难控制，且只能生产少量的石墨烯纳米薄膜。虽然石墨烯作为工程材料具有很大的应用前景，然而如何有效方便地制备出高质量二维石墨烯纳米薄膜是发展研究和应用的关键所在。因此，应寻找一种快速的、可控的高质量石墨烯纳米薄膜的制备工艺。
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一、石墨烯的制备方法
目前，石墨烯的制各手段通常可以分为两种类型，化学方法和物理方法。物理方法，是从具有晶格完备性的石墨或者类似的材料来获得，获得的石墨烯尺度都在80mTl以上。而化学方法是通过小分子的合成或溶液分离的方法制备的，得到石墨烯尺度在10
m以下。物理方法包括：机械剥离法、取向附生法、加热SiC法、爆炸法；化学方法包括：石墨插层法、热膨胀剥离法、电化学法、化学气相沉积法、氧化石墨还原法、球磨法。
f下面将就机械剥离法、加热SiC法、石墨插层法、氧化石墨还原法做具体介绍。
1．1机械剥离法
最普通的是微机械分离法，这是大多数参考文献上都有一种方法，也是一种比较常规的方法，它是直接将石墨烯薄片从较大的晶体上剪裁下来。2004年Novoselovt等用这种方法制备出了单层石墨烯，并可以在外界环境下稳定存在。典型制备方法是用另外一种材料膨化或者引入缺陷的热解石墨进行摩擦，体相石墨的表面会产生絮片状的晶体，在这些絮片状的晶体中含有单层的石墨烯。但缺点是此法是利用摩擦石墨表面获得的薄片来筛选出单层的石墨烯薄片，其尺寸不易控制，无法可靠地制造长度足供应用的石墨薄片样本。
1．2加热SiC法
该法是通过加热单晶6H．SiC脱除Si，在单晶面上分解出石墨烯片层。具体过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使温度升高至1250～1450℃后恒温120mi
，从而形成极薄的石墨层。该方法通常会产生比较难以控制的缺陷以及多晶畴结构，很难获得较好的长程有序结构，制备大面积具有单一厚度的石墨烯比较困难。
1．3石墨插层法
石墨插层法是以天然鳞片石墨为原料，将插r