的扫描电镜截面图
图2
相对于激光刻蚀法和CVD等方法，MACE不需要高温和真空条件，无复杂的仪器设备，制备过程简单且经济。利用这种方法可通过控制反应条件和其衬底的晶体取向来得到取向单一的硅纳米线。此外，通过MACE制得的硅纳米线晶体无明显的内部缺陷，且横截面形状可控。正是由于以上诸多优点，MACE法在近年来被人们广泛应用。
5结束语
硅纳米线以其特殊性质成为近年来的研究热点，并在制备硅纳米线及其生长机理方面取得了很大的进展。激光烧蚀法得到的硅纳米线产量较大、直径均匀纯度高，但所需设备昂贵，成本较高，不适宜大规模生产。化学气相沉积法生产成本较低，得到的硅纳米线晶体缺陷较小，具有较好的结晶性，但硅纳米线易受金属催化剂沾污。热蒸发法简单易行，产量较大，但却不如前两者能有效控制硅纳米线直径大小。MACE以其简单、经济、硅纳米线质量高等特点具有极大的优势。虽然目前在硅纳米线的制备及其生长原理上有了很大的进步，但是如何在保证数量与质量的同时，降低成本，实现大规模工业化生产仍需进一步研究。
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