括了晶体中电子的惯性质量以及晶体周期势场对电子的作用。★引入有效质量后，晶体中电子所受的外力与加速度的关系与牛顿第二定律类似，只用用有效质量代替惯性质量即可。决定有效质量大小的因素：★有效质量与电子所处的状态及能带结构有关★有效质量反比于能谱曲线的曲率；★有效质量在能带底附近为正值，能带顶附近为负值★有效质量各向异性一般地沿晶体不同方向的有效质量不同。只有当等能面是球面时，有效质量各向同性。9理想半导体（实际半导体）理想的半导体：无限大的、既没有杂质和缺陷也没有晶格振动和电子间的相互碰撞（四ppt25）补充：★理想的半导体的电阻为零★实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。★实际晶体是不完整性，杂质、缺陷、晶格热振动将对电子产生散射，使电子重新趋于对称分布，电流变为零，即存在电阻。10直接（间接）复合直接复合：电子在导带和价带之间直接跃迁而产生复合间接复合：电子和空穴通过禁带的能级进行复合11复合率，产生率载流子复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子空穴对数。载流子的产生率：单位时间单位体积内产生的电子空穴对数。12陷阱，陷阱中心陷阱效应：杂质或缺陷能收容非平衡载流子的作用称为陷阱效应。陷阱和陷阱中心：有显著陷阱效应（积累的非平衡载流子数目可以与非平衡载流
f子数目相比拟）的杂质或缺陷能级称为陷阱，而相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。电子陷阱：能收容电子的杂质或缺陷能级。空穴陷阱：能收容空穴的杂质或缺陷能级。13平衡态，非平衡态，稳定态平衡态：半导体中载流子浓度不随时间变化且满足
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非平衡态：当半导体受到外界作用如：光照等后载流子分布将与平衡态相偏离此时的半导体状态称为非平衡态。此时载流子浓度不满足
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稳定态：当半导体受到的外界作用稳定一定时间后载流子浓度将不随时间变化此时的半导体的状态称为稳定态。此时载流子浓度也不满足：
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14费米能级，准费米能级准费米能级：由于同一能带内，电子的跃迁非常迅速和频繁，因此，即使在非平衡状态下，导带中的电子和价带中的电子分布仍满足费米分r