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图题22图
24.电路如题24图所示,设二极管为理想组件,其正向导通压降为0V,则电路中电流I的值为B。
A1mA
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题24图
fB0mAC1AD3mA25.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如题25图所示,欲使静态工作点移至Q′需使D。
A偏置电阻RB增加
B集电极电阻Rc减小
C集电极电阻Rc增加
D偏置电阻RB减小
题25图
26.半导体三极管是一种(C)
A电压控制电压的器件
B电压控制电流的器件
C电流控制电流的器件
D电流控制电压的器件
28.题28图示放大电路中,电容CE断开后电路的电压放大倍数的大小将(A)
A减小B增大C忽大忽小D保持不变
29电路如题29图所示,二极管D1,D2,D3均为理想组件,则输出电压u(oA)
A0V
B-6V
C-18VD12V
题28图
题29图
30.三极管处于放大状态时(B)
A发射结反偏,集电结正偏B发射结正偏,集电结反偏
C发射结与集电结均正偏
D发射结与集电结均反偏
31.题31图所示电路中,已知VCC12V,
RC3kΩ,晶体管β50,且忽略UBE,若要使静态时UCE6V,则RB应取(B)
A.200kΩB.300kΩC.360kΩD.600kΩ
题31图
二、填空题1.N型半导体中自由电子是多数载流子,2.二极管最重要的特性是单向导电性。
空穴是少数载流子。
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f3.给半导体PN结加正向电压时,电源的正极应接半导体的__P__区,电源
的负极通过电阻接半导体的N区。
4.半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反
向偏置。
5半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压
要大(或高)。
6.若给三极管发射结施加反向电压,可使三极管可靠的截止。
7.在题7图所示电路中,若仅是RL增大,则电压放大倍数的绝对值将增大增大减小或
不变,输出电阻值将不变增大减小,或不
变。
8.造成固定偏置电压放大电路静态工作点不
稳定的主要原因是温度变化。
9.某放大电路在负载开路时,输出4V电压;
接入1kΩ负载后,其输出电压降为2V,则放大电路的输出电阻为1kΩ。
题7图
10.电压并联负反馈使放大电路的输入电阻减小,输出电阻减小。
11.二极管具有单向导电特性,其正向电阻远远小于反向电阻。当二极管
加上正向电压且正向电压大于死区电压时,正向电流随正向电压的增加很快上
升。
12.半导体的导电能力随着温度的升高而增大(或增强)。
13.PN结加反向电压时,其空间电荷区将__变宽_,使__漂移__运动占优势。
14.如果放大电路的静态基极电流太大,会产生饱和失真。
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