三象限双向可控硅。同时可控硅又有绝缘与非绝缘两大类，如ST的可控硅用BT名称后的“A”、与“B”来区分绝缘与非绝缘。单向可控硅SCR：全称Semico
ductorCo
trolledRectifier半导体整流控制器
f双向可控硅TRIAC：全称TriodeACSemico
ductorSwitch三端双向可控硅开关，也有厂商使用Bidirectio
alCo
trolledRectifierBCR来表示双向可控硅。
请注意上述两图中的红紫箭头方向！
f可控硅的结构原理我就不提了。
二、可控硅的控制模式现在我们来看一看通常的可控硅控制模式1、O
Off控制：
对于这样的一个电路，当通过控制信号来开关Triac时，我们可以看到如下的电流波形
通常对于一个典型的阻性的负载使用该控制方法时，可以看到控制信号、电流、相电压的关联。
f控制信号是缓慢变化矩形波2、相角控制：也叫导通角控制，其目的是通过触发可控硅的导通时间来实现对电流的控制，在简单的马达与调光系统中多可以看到这种控制方法，明显这种控制信号的频率与主电源频率同步，通过控制占空比来调节导通角。
在典型的阻性负载中，通过控制触发导通角a在0～180之间变化，
f从而实现控制电流的大小
sea
只控制开不控制关，这是SCR与MOSFET最大区别。三、我们知道，可控硅的一个导通周期可以有四步：
你可以看看BTA06－600BW的数据手册，它的触发电流是50mA这个是Max值。实际上I、II、III象限的触发电流都是不一样的，但datasheet给出来的都是满足能够完全触发的最小值。请注意这个最大
f值不是说你的触发电流只要不小于50mA都是可以的，当然这个值也与你的应用环境有关系，请看下面的曲线图：
1、触发电流小了，只是导通效果差些，不会有什么问题。只是这样你设定需要导通的时间可能达不到。这和三极管不一样，基极电流可以决定三极管是工作在什么状态。而可控硅触发电流只会影响导通的时间。还有就是如果要做到最好的导通效果，按照ST的PPT建议，你可以选择Ig的Max再乘以15倍，就是我给出的图的介绍。我今天问过ST的如果小的值有些大会有什么影响，他们说没有什么问题，假如你的触发电流达不到数据手册上规定的IgMax时，只要你确认你的触发电流可以使得可控硅可以达到导通就可以。
2、如果你将T1和T2颠倒，其实就是将1和4象限，2和3象限调换就可以，在你驱动的时候，比如你要1、2、4象限触发，就改成1、3、4就可以，自己将这个顺序颠倒一下就可以。
3、TW中的触发电流为5毫安，那么假设我使用了50毫安的触发电流这个就不知道了，你的假设差了10倍，呵呵，一r