一个字节，则该存储器的存储容量为1MB。3工作原理编辑这里只介绍动态存储器DRAM的工作原理。动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE1，则在CAS有效期间数据输出并保持。当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PCXT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。4功能编辑存储器功能寻址方式掉电后说明
随机存取存储器（RAM）读、写随机寻址数据丢失只读存储器（ROM）闪存（FlashMemory）读随机寻址数据不丢失工作前写入数据
读、写随机寻址数据不丢失
f先进先出存储器（FIFO）读、写顺序寻址数据丢失先进后出存储器（FILO）读、写顺序寻址数据丢失5分类编辑按存储介质半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。按存储方式随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。按读写功能只读存储器ROM：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。
各存储器之间的关系随机读写存储器RAM：既能读出又能写入的半导体存储器。按信息保存性
存储系统的分级结构非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。按用途根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器r