了行业机会。薄膜太阳能电池，由于所用材料远远少于块状太阳能电池，所以成本要远低于块状太阳能电池，当然砷化镓太阳能电池除外。
4．多晶硅薄膜太阳能电池
多晶硅薄膜太阳能电池一般采用气相沉积法制备。它所使用的硅远较单晶硅少又无效率衰退问题并且可以在廉价衬底材料上制备其成本远低于单晶硅电池而效率高于非晶硅薄膜电池。因此多晶硅薄膜电池将成为薄膜太阳能中发展速度最快的电池。
5．非晶硅薄膜太阳能电池
非晶硅薄膜光伏电池与单晶硅和多晶硅太阳能电池的制作方法完全不同硅材料消耗少、电耗低能，一般用辉光放电法、反应溅射法等制备。它能够在较低的温度下直接沉积在廉价衬底上，有大幅度降低成本的潜力，适合用于建筑光伏一体化以及大型太阳能并网发电系统，但光电转换效率偏低国际先进水平为10左右且不够稳定常有转换效率衰降的现象。因而非晶硅薄膜电池的发展受到制约。
6．硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池
为了寻找单晶硅电池的替代品人们除开发了多晶硅、非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池，以解决硅系材料普遍存在的冶炼硅污染问题。其中主要包括砷化镓IIIV族化合物、硫化镉、碲化镉及铜铟镓硒薄膜电池等。
f上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代物。
7．砷化镓太阳能电池
GaAs属于IIIV族化合物半导体材料，其能隙为14eV，正好为太阳光高吸收率的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30％，特别适合做高温聚光太阳电池。但这种电池制备主要采用MOVPE和LPE技术，因此成本较高。由于镓比较稀缺，砷有毒，此种太阳电池的发展也受到影响。
8．铜铟硒、铜铟镓硒太阳能电池
铜铟硒太阳能电池是以铜、铟、硒三元化合物半导体为基本材料制成的太阳电池。它是一种多晶薄膜结构，为直接带隙材料，一般采用真空镀膜、电沉积、电泳法或化学气相沉积法等工艺来制备，材料消耗少，成本低，性能稳定，光电转换效率在10％以上。因此是一种可与非晶硅薄膜太阳电池相竞争的太阳能电池。
铜铟镓硒太阳能电池简称CIGS是在铜铟硒太阳能电池的基础上，以镓取代部分的硒而制成。由于镓的掺入，使得带宽在1017eV连续可调，适于太阳光的光电转换另外，这种电池也不存在r