频率相等相位相差占空比可调的矩形波即PWM信号然后将脉冲信号送往芯片HL402对微信号进行升压处理再把经过处理的电平信号送往MOSGRT对其触发以满足主电路的要求。
f图33SG3525A芯片的内部结构
四MOSFET驱动电路设计
41驱动电路方案选择
该驱动部分是连接控制部分和主电路的桥梁该部分主要完成以下几个功能1提供适当的正向和反向输出电压使电力MOSFE管可靠的开通和关断2提供足够大的瞬态功率或瞬时电流使MOSFET能迅速建立栅控电场而导通3尽可能小的输入输出延迟时间以提高工作效率4足够高的输入输出电气隔离性能使信号电路与栅极驱动电路绝缘5具有灵敏的过流保护能力。
而电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的因此它的第一个显著特点是驱动电路简单需要的驱动功率小第二个显著特点是开关速度快、工作频率高。但是电力MOSFET电流容量小耐压低多用于功率不超过10Kw的电力电子装置。
在功率变换装置中根据主电路的结构起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式美国IR公司生产的IR2110驱动器兼有光耦隔离和电磁隔离的优点是中小功率变换装置中驱动器件的首选。
根据设计要求、驱动要求及电力MOSFET管开关特性选择驱动芯片IR2110来实现
f驱动。
芯片IR2110管脚及内部电路图如下图4所示。
图4IR2110管脚及内部电路图
42驱动电路原理
IR2110内部功能由三部分组成逻辑输入、电平平移及输出保护。
IR2110驱动半桥的电路如图所示其中C1VD1分别为自举电容和自举二极管C2为VCC的滤波电容。假定在S关断期间C1已经充到足够的电压VC1VCC。
当HIN为高电平时如下图42VM1开通VM2关断VC1加到S1的栅极和源极之间C1通过VM1Rg1和栅极和源极形成回路放电这时C1就相当于一个电压源从而使S1导通。由于LIN与HIN是一对互补输入信号所以此时LIN为低电平VM3关断VM4导通这时聚集在S2栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg2迅速对地放电由于死区时间影响使S2在S1开通之前迅速关断。
1VM1
6
5
31
21VM4
0VM30VM2
7C2
Rg2
VH
Rg1
VCC
VD1
VB
C1
图5IR2110驱动半桥电路
设计驱动电路如图6所示
f图6驱动电路图
五电路各元件的参数设定
51MOSFET简介
MOSFET的原意是MOSMetalOxideSemico
ductor金属氧化物半导体FETFieldEffectTra
sistor场效应晶体管即以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型但通常主要指绝缘栅型中的MOS型MetalOxideSemico
ductorFET简称功率MOSFETPowerMOSFET。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管StaticI
ductio
Tra
sistorSIT。其特r