能
、
基曲
及
B95202045怡如B95202048亦B95202003沈郁芷
：
能、能、及。、基PNju
ctio
能。、能
、
能光可、光具。N，。，光。PN
：
能功洞各件，高空P。能建建光光，能N光PN可能大drift，NPPN金基。，metalco
tact其能隙e
ergygap光洞，建光reversebias，，，Pco
ductio
ba
d，洞，其，空光能光能具PN值，洞PN，ju
ctio
光建端P基P基建，，建光到photovoltaiceffect。件，，substrate，可PN端洞
electro
holepair、
builti
electricfield
度高
vale
ceba
d
photocurre
t。光
photovoltaiccell
能
等
f：其I代pBoltzma
端，
加
，
光光IL，
光
能
，IV可

件p去
端；IS；T度，

；V代
，
值，
saturatio
curre
t；KB，qVKBT0026。
；q
能短：shortcircuitcurre
t短V＝0ISC大能能大e
ergyco
versio
efficie
cy功Pmax，。，VOC。大，。光能
距
曲，值短
IV曲，其Y
：ope
circuitvoltageI＝0，能端
光
功Pi

能
功
：
，，大功
功
固值，
大

工
到大
功
件可dPdV0。
功：
：
f其
FF填VOC短VOCxISC矩，填
Fillfactor，其ISC。串，ISC填光能FF，填RS
值，
能Rsh串能，串
大功曲，加可高。可
，
功Pmax
大功矩填：，同加，AM15，都
同其
概括串填、短件，VOC、短
，降。。29。
串、空、道，都件隔。。大，能等。，串，能金，串，PN能。大leakagecurre
t，recombi
atio
edgeisolatio
可、金，可度、p都
洞PN度等，都，多度、其，，
surfacerecombi
atio

串能度大降。串，，
得短降加，大，降。。
，，更曲，填
大降串、
，填，
FF大值
VOCxISC
f基1金金111光距，光可，，，textured：刻a
isotropicetchi
g，同大大大大。金100，光可，。KOH加刻，光基降A
tireflectivecoati
g，ARC，：
isopropylalcohol，IPA
2基
。可，。光得介，介，
：奈，奈可等介空介大，、奈基，光r