的二极管。MOSFET的导通内阻可以到几mΩ，大大降低了压降损耗。在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了大量的电路板面积，也减少了设备的散热源。应用电路中MOSFET需要有专业芯片的控制。目前，TI、Li
ear等各大公司都推出了一些成熟的该类芯片。4新方案中MOSFET的特殊应用MOSFET在新的冗余电源方案中是关键器件。由于与常规电路中的应用不同，很多人对MOSFET的认识都存在一定误区。为了方便后续电路的介绍，下面对其特殊之处作以说明。首先，MOSFET符号中的箭头并不代表实际电流流动方向。在三极管应用中，电流方向与元件符号的箭头方向相同，因此很多人以为MOSFET也是如此。其实MOSFET与三极管不同，它的箭头方向只是表示从P极板指向N极板，与电流方向无关，如图2所示。
f其次，应注意MOSFET中二极管的存在。如图2所示，N沟道MOSFET中源极S接二极管的阳极，P沟道MOSFET中漏极D接二极管的阳极。因此，在大多数把MOSFET当作开关使用的电路中，对于N沟道MOSFET，电流是从漏极流向源极，栅极G接高电压导通；对于P沟道MOSFET，电流是从源极流向漏极，栅极G接低电压导通，否则由于二极管的存在，栅极的控制就不能关断电流通路。最后，应注意MOSFET的电流流动方向是双向的，不同于三极管的单向导通。对于MOSFET的导电特性，大多数资料、文献及器件的数据手册中只给出了单向导电特性曲线，大多数应用也只是利用了它的单向导电特性；而对于其双向导电特性，则鲜有文献介绍。实际上，MOSFET为电压控制器件，通过栅极电压的大小改变感应电场生成的导电沟道的厚度，从而控制漏极电流的大小。以N沟道MOSFET为例，当栅极电压小于开启电压时，无论源、漏极的极性如何，内部背靠背的2个PN结中，总有1个是反向偏置的，形成耗尽层，MOSFET不导通。当栅极电压大于开启电压时，漏极和源极之间形成N型沟道，而N型沟道只是相当于1个无极性的等效电阻，且其电阻很小，此时如果在漏、源极之间加正向电压，电流就会从漏极流向源极，这是通常采用的一种方式；而如果在漏、源极之间加反向电压，电流则会从源极流向漏极，这种方式很少用到。在冗余电源的应用电路中，MOSFET的连接方向与常规不同。以N沟道管为例，连接电路应如图3所示。如果电源输入电压高于负载电源电压，即ViVout，电流由Vi流向Vout。由于是冗余电源应用，负载电源电压Vout可能会高于电源输入电压Vi，这时由外部电路控制MOSFET栅极关断源、漏通路，同r