分）3．求中频段源电压增益AVSVOVS的值（4分）六．在图11所示的由理想运放组成的电路中，R10KΩ，R220K
Ω，R35KΩ，R420KΩ，C1μ，t0时刻接入V11V，V211V，求VO10V时所需的时间。（10分）
3
4
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R2
A
C
V1R1
R2
R3
Vo1
V2
R1
AA
R4
VoVo2
图11
七．图12所示的FET放大器中两管F1F2的小信号参数相同跨导
为g即gfs漏源内阻为r即rdsC1～C3为耦合傍路电容。
1F1在电路中起什么作用2分
2画出放大器中频段不信号模型。4分
3
3求VOVi。4分
R
4VDD
F1
C1
C3
F2
Vi
RG
Vo
RC2


Title
图12
Size
Number
B
Date9May2004
八．图13为两级差动放大器级联组成的负反馈放大器。ID1，FileID2CPROGRAMFILESDESI
2
3
4
5
为恒流源，T1～T4参数相同
1判断反馈类型（2分）
2求深度负反馈条件下的电压增益AvfVoVs（4分）
3电路不满足深度负反馈条件时，求输入电阻Rif（晶体管用
低频简化模型）（4分）（RfReRfRc）
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Rc
Rc
Vs

T1Re
T2Re
RfRf
Rc
Rc
RLVo
Vcc
T4T3
4ID1
图13
ID2Vcc
九．图14是由理想运放构成的正弦振荡器（3分）
1．试3解释振荡原理（3分）4
2．推导振荡频率和起振条件（7分）
CC
R
R
R1
Rf
Uo
5
Title
SizeB
DateFile5
Number
9May200CPROGR
图14
十．
图
15
是一种利用传输线变化器
B
倒相的
RC
分相器，即输出

V01
与
V02
辐度与输入

Vi
相同，但存在相移。Φ
1
是
V01
对

Vi
的相移，Φ
是
2V02
对

Vi
的相移。
1．求Φ1Φ2的表达式
2．
若

Vi
的频率30MHZ，试求使V
01
与
V02
正交，
即Φ1Φ290°时的电阻取值（取C1C230р）
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Ui
B


V
i
Vi
C1R1
R1C2
隔离元件隔离元件
Uo1Uo2
图15
2
3
4
1998年硕士研究生入学测试《模拟电路》试题参考平分标准
一、填空题：每题2分共10题总分20分1．IISeVvT1二极管有接点电容2．杂质电离，本征激发3．反向击穿，反向，势垒4．IdIdss1UGSVP2UDSUGSVp5．变窄，增大6．饱和，减小7．特征，168．比例镜像恒流源，415
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9．392，17510．999（填1000或1000可得1分）二、单选题：每题2分，共10题总分20分
1
3
4
8
9
2
5
6
7
10
C
B
A
B
C
B
C
A
D
D
三、1．
ID4V
VD

1k

化简（3分）
2、
d

VTID
　　300k　　26mVr