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试卷五
一．填空题（每题2分，共20分）
⒈二极管的伏安关系可近似表述为公式：
当工作频率过高时，二极管会失去单向导电特性，其原因是：
⒉在常温下，杂质半导体的参数载流子主要由
产生，
少数载流子由
产生。
⒊利用二极管的
特性可以制成稳压管。利用
二极管在
偏置时的
电容效应可制成
变容二极管。
⒋耗尽型场效应管在恒流区的平方律关系式为：
当该类型
FET
的
沟
道
预
夹
断
时
，
VGS
V与DS
满
足
方
才：
。
⒌当偏置于放大区的晶体管的集电结反偏电压的值增加时，基区
有效宽度的变化是
，共射直流电流放大系数的变化
是
。
⒍图1所示放大器的静态VCEVCC2，RCRL。当输入信号增大
时，首先出现的削波失真应为
失真，若改变R2来消
除这种失真，应使其
。
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R1C1
Rc
VCCC2
RL
R1R2
Re
Ce
3
4
5
图1

⒎当频率增加到使晶体管的高频1，频率f称为晶体管的T
频率。若某管
f
T
800MHZ，低频
50，则频率0
f
50MHz
时，


。
⒏图2所示，由两支配对硅管（vBE07V）组成的电路称
为
。按图中给出的数据
I0
3
。
4
9V
1K
IO
Io
T1T2
Vs
Vi
A
1010
s100s106
Vo
VS
1K
1K
Boo1
图2
图3
⒐图3为一反馈放大器数学模型，该模型的中频区闭环电压增益
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为MHZ。
分贝，闭环电压增益的高频截止频率fHf
⒑某运放开环电压增益的幅频率特性为图4所示，若用该运放
构成负反馈反相放大器，并且有450的相位裕量，该放大器的电压增
益应为
倍。12020logAf100
80
60
40
20
0
20
10100103104109
fHZ
图4
二．单选题（每题2分，共20分）
⒈在正偏PN结阻挡层两侧的P区和N区中，自由电子浓度
和空
穴浓度p应满足关系式（A．
p
i2
）。下面各式中的
i的本征浓度。
B
p＜
i2
C
p＞
i2
D
p
⒉若图1电路出现了故障，测得各管脚电压为VC35V，VB4V，
VE33V，由此可以推断，故障的原因应该是（
）。
A．R1开路
BR2开路
CRC短路
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DRL短路⒊某放大器信号源内阻较大，希望加入负反馈的输出电流随负载
变化明显减小，则应采用（
）负反馈。
A．电压取样电流求和（并并）
B．电压取样电压求
和（串并）
C．电流取样电流求和（并串）
D．r