存储器（图三）（图四），
具有掉电不丢失的特性；其存储单元由浮栅型场效应管构成，利用高压使浮栅带电实现对芯片的写入，擦除内部数据靠紫外线消除浮栅上的电荷，使其不带电。EPROM工作电压为5V，在写入时要用专用的编程器，并且写入时必须要加一定的编程电压（VPP1224V，随不同的芯片型号而定），EPROM的型号是以27开头（如ATMEL27C020）。EEPROM是电擦除非易失型存储器（图五）（图六），其存储单元也是由浮栅型场效应管构成，写入时，利用高压下的隧道效应，令浮栅带电；擦除时，仍是利用高压下的隧道效应，不过电压极性相反，因此令浮栅不带电。EEPROM工作电压为5V，在写入时，需要加上一定的编程电压（VPP＝12V），EERPROM的型号以28开头（如AM28F020）。
fFLASHROM也是电擦除非易失型存储器（快擦写存储芯片）（图七）（图八），其也是浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。FLASHROM的工作和刷新电压都是5V，其型号一般为29、39、49开头（如SST39SF020）。目前主板上的BIOS芯片，基本上都属于FLASHROM。BIOS芯片有三种基本操作：读取、擦除、编程。要了解以上操作过程，首先了解一下芯片的结构。芯片（存储器）外部接口（引脚）可分为：数据线、地址线、控制线、电源线（图九）。地址线用来确定数据所在的地址，数据线用来输入和输出数据。控制线包括CE、OE、WE；CE是片选信号，当CE为低电平时，芯片被选中（也就是可以对芯片进行任何操作，对于多BIOS芯片串联使用时，可以用CE来选择要操作的芯片是那一片，如RD2000双BIOS系统即为用CE来切换两个BIOS芯片的，通常主板上为单BIOS芯片，因此CE始终为低电平，也就是一直为选中）；OE是输出允许，也是低电平时有效，当OE为低电平时，允许数据输出，也就是可以读取芯片中的内容，当OE是高电平时，输出被禁止，无法读取内容；WE为编程允许，也是低电平有效，当WE为低电平时可以对芯片进行编程（写入），当WE为高电平时不能对芯片进行编程（我们可将此脚接为高电平，那么芯片就无法写入，无敌锁即是将此脚升为高电平，来保护芯片的）。对于EEPROM不需要擦除，可以直接进行编程操作，对于FLASHROM，需要先擦除芯片内的内容，然后才可以写入新的内容。电原线包括VCC、VPP、PR。VCC为5V工作电源，VPP为28系列写入时12V电源（29系列此脚为NC，即为空脚），PR则是28系列分块式BIOS，对BOOTBLOCK块进行编写的12V电源。芯片无论是读取、r