、场效应管；A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。（错）（对）（错）（错）（错）（对）（错）
4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。（错）
f3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝21V，VB＝28V，VC＝44V，说明此三极管处在（A）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。）。D、仍为正弦波。管超过极C、正弦半波；8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（CA、矩形方波；9（C）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；C、集电极最大允许耗散功率PCM；A、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结正偏、集电结反偏；四、简述题：（每小题4分，共28分）1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③37V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答：管脚③和管脚②电压相差07V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。3、图129所示电路中，已知E5V，ui10si
tV，元件（即认为正向导通时电阻R0，反向阻断时电阻R∞），波形。答：分析：根据电路可知，当uiE时，二极管导通u0ui，极管截止时，u0E。所以u0的波形图如下图所示r