初值TL0655351000256i
tcou
tifi
tcou
t100010001000大约1090msi
tcou
t0I
it_DS18B20初始化WriteO
eChar0xcc跳过读序列号的操作WriteO
eChar0xbe读温度寄存器（头两个值分别为温度的低位和高位）tempLReadO
eChar读出16bit温度tempHReadO
eCharwhileI
it_DS18B20初始化WriteO
eChar0xcc跳过读序列号的操作WriteO
eChar0x44启动温度转换Fileuserlibhdefi
eLEDP0LED数码管使用端口
sbitseclockP16数码管段锁存sbitbbitlockP17数码管位锁存sbitDQP22DS18B20voidDelaymsu
sig
edi
txu
sig
edi
tijfori0ixiforj0j110jvoidDelayu
sig
edi
txforx0xFileDS18B20h延时函数，单位ms
延时函数
f初始化u
sig
edI
it_DS18B20voidu
sig
edcharx0DQ1DQ先置高Delay5稍延时DQ0发送复位脉冲Delay70延时（480usx960usDQ1拉高数据线Delay5等待（1560usxDQ用X的值来判断初始化有没有成功，18B20存在的话X0，否则X1Delay60retur
x读一个字节u
sig
edcharReadO
eCharvoid主机数据线先从高拉至低电平1us以上，再使数据线升为高电平，从而产生读信号u
sig
edchari0每个读周期最短的持续时间为60us，各个读周期之间必须有1us以上的高电平恢复期u
sig
edchardat0fori8i0i一个字节有8位DQ1Delay1DQ0dat1DQ1ifDQdat0x80elsedat0x7fDelay4retur
dat写一个字节voidWriteO
eCharu
sig
edchardatu
sig
edchari0数据线从高电平拉至低电平，产生写起始信号。15us之内将所需写的位送到数据线上fori8i0i在1560us之间对数据线进行采样，如果是高电平就写1，低写0发生DQ0在开始另一个写周期前必须有1us以上的高电平恢复期。DQdat0x01
fDelay5DQ1dat1Delay4File
umledhu
sig
edcharbbitcode500x010x020x040x08位选代码u
sig
edchar
umcode170xc00xf90xa40xb00x990x920x820xf80x800x900xa00x830xa70xa10x840x8e0xbf显示数字代码0f和负号u
sig
edchardotcode20xff0x7f是否显示dpvoidClsLED0xffseclock1bbitlock1bbitlock0seclock0Delayms2voidShowu
sig
edcharbbitu
sig
edchar
umu
sig
edchardot一位显示LEDbbitcodebbitbbitlock1bbitlock0LED0xffLED
umcode
umdotcodedotseclock1seclock0Delayms3Cls数码管清屏消影
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