第1章检测题
一、填空题：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的多数载流子为数载流子为，少数载流子为在本征半导体中掺入极微量的2、三极管的内部结构是由极管对外引出的电极分别是运动而不利于有利于的的价元素组成的。这种半导体内的电。P型半导体是，少，不能移动的杂质离子带电。区、极和极。，有利于的，电流。区及结和结组成的。三
价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为区、极、
，不能移动的杂质离子带
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向运动而不利于向的
；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向，这种情况下的电流称为向
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由半导体中的多数载流子由个对少子的，其方向由区指向区。
区进行扩散，N型起削弱作用，
区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一的建立，对多数载流子的形成。极。。
起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的时，与红表棒相接触的电极是二极管的被
档位，当检测时表针偏转度较大
极；与黑表棒相接触的电极是二极管的
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经6、单极型晶体管又称为7、稳压管是一种特殊物质制造的区。8、MOS管在不使用时应避免二、判断正误：1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
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管。其导电沟道分有接触型
沟道和
沟道。
二极管，正常工作应在特性曲线的
极悬空，务必将各电极短接。
（）（）（）（）（）（）（）
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。（）
f10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。三、选择题：1、单极型半导体器件是（）。D、稳压管。）元素构成的。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的r