到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。7、tRP是RowPrechargeDelay，行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。8、tRAS是RowactiveDelay，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值
s，也可用相对时间周期。一般多用周期表达。周期数越小，内存的速度越高。选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。
标准的时序参数有777888999三种，其中777的最好。还有非标准的788899的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。
222、DRAMDriveStre
gth：DRAM驱动强度。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT01或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
每个通道的信号驱动强度设置包括8项。CKEDriveStre
gth：时钟允许（Clocke
able）信号驱动强度CSODTDriveStre
gth：片选内建终端电阻驱动强度AddrCmdDriveStre
gth：地址命令驱动强度ClockDriveStre
gth：时钟信号驱动强度DataDriveStre
gth：数据信号驱动强度DQSDriveStrebgth：数据请求信号驱动强度ProcOdt：CPU内建终端电阻驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率：
223、DRAMAdva
ceCo
trol：DRAM高级控制。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT01或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
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f如果对你有帮助，请下载使用！
每个通道的高级控制有6项。DRAMTermi
atio
：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75ohms、150ohms、50ohms。默认是Auto。DRAMDriveWeak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。DRAMParityE
able：允许DRAM奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、E
abled、Disabled。默认设置是r