概述：
M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式ACDC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的EMI性能。
特点：
软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗抖频功能，改善系统EMI性能消除音频噪声65KHz的开关频率完善的保护功能VDD欠压保护逐周的过流阈值设置，恒定输出功率自动恢复式过载保护（OLP）自动恢复式过温保护（OTP）锁定型的VDD过压保护（OVP）锁定型的过温保护（OTP）过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调采用SOT236和DIP8封装
应用：
手机充电器上网本充电器笔记本适配器机顶盒电源
各种开放式开关电源
产品规格分类：
产品名称M5576SRM5576PR开关频率65KHz65KHz封装形式SOT236DIP8丝印打字包装形式编带3K盘管装50个管2000个盒
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f典型应用：
图1M5576SR应用图SOT236
图2M5576PR应用图DIP8
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f管脚排列图：
图3DIP8顶部视图
M5576PR
图4SOT236顶部视图
M5576SR
管脚描述：
管脚号管脚名称SOT23665DIP8123、643214578DRVVDDNCSENRTCOMPGND输出PWM信号驱动外部功率MOSFET芯片供电悬空电流检测
多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能，也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护
管脚描述
芯片内部电路的环路补偿接地
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f芯片使用时极限参数：
参数值项目VDD直流供电电压VDD齐纳钳位电压VDD直流钳位电流COMP输入电压SEN输入电压OTP输入电压最小最大工作结温最小最大贮存温度0303032055最小值最大值3010VDD_Clamp01777150165260单位VVmAVVV℃℃℃
注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。最高温度（焊接，10秒）
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f芯片内部框图：
图5M5576内部框图
电气参数Ta25oC：
项目供电电压（VDD）I_StartupI_VDD_OpsVDD_OFFVDD_ONVpull_upVdd_ClampOVPON过压保护电压VDD启动电流工作电流欠压锁存开启r