西南科技大学
模拟电子技术试卷十
1单项选择题在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的内。每一小题２分，共２０分（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A）A掺杂浓度B工艺C温度D晶体缺陷2硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于BA正向导通状态B反向电击穿状态C反向截止状态D反向热击穿状态3测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为APNP型硅管BNPN型锗管CPNP型锗管DPNP型硅管4温度上升时，半导体三极管的AAβ和ICEO增大，uBE下降Bβ和uBE增大ICEO减小①③Cβ减小，ICEO和uBE增大－2V②－22VDβ、ICEO和uBE均增大－8V5在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、Au1图1的只可能是A共集电极放大电路B共基极放大电路C共漏极放大电路D共射极放大电路6在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是A电压并联负反馈B电压串联负反馈C电流并联负反馈D电流串联负反馈7关于多级放大电路下列说法中错误的是AAu等于各级电压放大倍数之积BRi等于输入级的输入电阻CRo等于输出级的输出电阻DAu等于各级电压放大倍数之和8用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻RE，可以提高电路的AAudBAucCRidDKCMR9电路如图2所示，其中U220VC100f。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压Uo。A24VB28VC28VTRD18V10在下列四种比较器D1D4中，抗干扰能力强的是U2。A迟滞比较器U1B零比较器C三态比较器D3_D2_D窗口比较器CUo2填充题每格1分，共20分_11当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路（图2）对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真为＿＿＿＿失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为＿＿＿失真，这两种失真统称为＿＿＿＿＿失真或＿＿＿＿＿＿失真。12半导体三极管属＿＿＿＿＿控制器件，而场效应管属于＿＿＿＿＿控制器件。13按结构不同场效应管分为＿＿＿＿＿型和＿＿＿＿＿＿型两大类。14集成运放内部电路实际是一个＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿放大电路。
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模拟电子技术试卷十
15直流稳压电源由＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿及＿＿＿＿＿四个部分组成。16按幅频特性不同，滤波器可分＿＿＿＿＿滤波器、＿＿＿＿＿r