的比率，称为负载电压系数或是占空比，K的变化率在0－1之间。
一般是周期T固定不便，调节t当t在0－T的范围内变化时，发热管的电压即在0－UAN之间
变化，如图3所示，这种调节方法称为定频调宽法。将位置式或者增量式PID算法的结果
U
U
对模拟量的连续控制转化为U
U
对时间量的连续控制，使用双向可控硅直接控
制加热管工作电流的导通与断开。
Trigger
UOUT双向可控硅
UAU
加热管
U
图2双向可控硅加热控制电路
图3脉宽调制电压输出示意图
4、温度控制的两个阶段温度控制系统是一个惯性较大的系统，也就是说，当给温区开始加热之后，并不能立
即观察得到温区温度的明显上升；同样的，当关闭加热之后，温区的温度仍然有一定程度的上升。另外，热电偶对温度的检测，与实际的温区温度相比较，也存在一定的滞后效应。这给温度的控制带来了困难。因此，如果在温度检测值（PV）到达设定值时才关断输出，
f可能因温度的滞后效应而长时间超出设定值，需要较长时间才能回到设定值；如果在温度检测值（PV）未到设定值时即关断输出，则可能因关断较早而导致温度难以达到设定值。为了合理地处理系统响应速度（即加热速度）与系统稳定性之间地矛盾，我们把温度控制分为两个阶段。
（1）（2）
图4温度控制的动态响应过程PID调节前阶段
在这个阶段，因为温区的温度距离设定值还很远，为了加快加热速度，双向可控硅与发热管处于满负荷输出状态，只有当温度上升速度超过控制参数“加速速率”，双向可控硅才关闭输出。“加速速率”描述的是温度在单位时间的跨度，反映的是温度升降的快慢，如图4所示。用“加速速率”限制温升过快，是为了降低温度进入PID调节区的惯性，避免首次到达温度设定值（SV）时超调过大。
在这个阶段，要么占空比K0双向可控硅关闭；要么占空比K100％双向可控硅全速输出。PID调节器不起作用，仅由“加速速率”控制温升快慢。PID调节阶段
在这个阶段，PID调节器调节输出，根据偏差值计算占空比（0－100％），保证偏差EV趋近于零即使系统受到外部干扰时，也能使系统回到平衡状态。
四、实验内容1、采用正交实验的方法来确定PID参数。
初始时，各PID参数取值为：KP1410，KI010510，KD1510，PID参数整定的目的是找到一组使温控系统的超调值小、响应快、稳态精度高的参数值，由于初始实验各组参数所产生的超调值相差不大，因此，将稳定在70℃±1℃的时间作为本次实验的实验指标。
表1正交实验的设计
实验号123456789
空列111222333
r