统计分布、实验研究和热力学评价。第二部分讲的是在非热力学平衡条件下的点缺陷以及点缺陷的扩散。
平衡状态下的点缺陷：
对于平衡态下点缺陷的研究逐渐形成了一个基本原则，即聚焦与缺陷性能以及要对造成材料偏离平衡态的动力学和其过程要有一个初步的了解。
f1本征点缺陷本征点缺陷在化合物半导体中是一个特殊的存在，因为其性质、密度和他们之间的相互作用都不能被确定。本征点缺陷在化合物半导体中的扩散系数很大，在热处理对本征点缺陷密度的影响很大。但同时，点缺陷与外来缺陷与沉淀物的反应活性很大，这使得对化合物半导体的样品的淬火处理变得很复杂，并且也使得在低温下的实验研究方法变得复杂化。通常二元化合物AB的典型的点缺陷有空位点缺陷VA、VB，间隙位点缺陷AI、BI，替代位点缺陷BA、AB。对于间隙位点缺陷，非化学计量比的状态将被引入化合物半导体中。同时，还有一些复杂的缺陷，比如说双空位VAVB、空位替代复合缺陷BAVA等。所有的本征点缺陷是多价态的，所以每种缺陷都显著的增加了缺陷态。2外来缺陷对于掺杂材料来说，其缺陷的统计分布取决于化学势。在为参杂的半导体材料中引入杂质完成了费米能及和原来化合物AB的化学势。对于共掺杂来说，会引入越来越复杂的系统，在这个系统中，离散元和施主、受主都会有相互作用。我们使用第一性能带结构方法的研究包括了共掺杂的杂质形成和参杂极限，大多数的与参杂相关的缺陷的形成能都可以通过这种方法得到。对于碲化镉的缺陷性能的研究还是远远不够的，人们还不能完全明白化合物半导体点缺陷的性能。对于拥有很多缺陷态的复杂的缺陷系统来说，想要解释在该系统中所观察到的现象是十分困难的。不是
f故意掺杂的外来缺陷是在低温下研究化合物半导体的本征点缺陷的工作更加复杂化了。本征点缺陷的强的反应活性和大的扩散系数导致了其很容易与外来缺陷复合，与外来原子形成复合体，在晶体冷却的过程中沉淀。最终，在低温下，化合物半导体的电学和光学性能主要由外来缺陷控制，本征点缺陷在其中起到的作用微乎其微。3实验测定碲化镉的缺陷结构碲化镉是一种有希望作为和X射线探测器、电子器件、通讯设备和太阳能电池的材料。碲化镉也是可以通过实验测定来证明前面理论推测的正确性的可用材料。碲化镉在室温下的禁带宽度是15eV，他的能带宽度在宽带系和窄带隙之间，而且可以参杂成为P型和N型两种类型。其与金和锌的合金使得其的带隙可以在0239eV之r