第4章
场效应管放大电路与功率放大电路
41图41所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压Uth（或夹断电压Up）约是多少。
iDmA
iDmA32110
iDmA132uGSV
32
1
0uGSVa
4
2
0uGSVb
c
图41习题41图
解：aN沟道耗尽型FETUP－3V；bP沟道增强型FETUT－4V；cP沟道耗尽型FETUP2V。42某MOSFET的IDSS10mA且UP－8V。1此元件是P沟道还是N沟道？2计算UGS－3V是的ID；3计算UGS3V时的ID。解：1N沟道；
UGS310139mAUP8U33IDIDSS1GS101189mAUP8
2IDIDSS143画出下列FET的转移特性曲线。1UP－6V，IDSS1mA的MOSFET；2UT8V，K02mAV2的MOSFET。解：
iDmA
1
iDmA
32
－6
1
o
uGSV
2
o
8
12
uGSV
f44试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。解：
iD
耗尽型N沟道增强型N沟道
UPUT
o
UTUP
uGS
增强型耗尽型P沟道P沟道
45判断图42所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
解：a能放大
b不能放大，增强型不能用自给偏压c能放大
1，可增加Rd，并改为共源放大，（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。共漏Au
将管子改为耗尽型，改电源极性。
图42习题45电路图
46电路如图43所示，MOSFET的Uth2V，K
50mAV2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。解：UGSQ
Rg2Rg1Rg2
VDD
1524313V10015
fIDQK
UGSQUth25031322639mA
UDSQVDDIDQRd2463902112V
VDD12V
VDD24V
VDD9V
Rd
10kΩVT
Rd
560ΩVT
Rg1100kΩ
Rd200Ω
VT
Rg
Rg215kΩ
10MΩ
10MΩ
Rg
a
b
图43习题46电路图
图44习题47电路图
47试求图44所示每个电路的UDS，已知IDSS8mA。解：aUGSQ0VbUGSQ0VIDQIDSS8mAIDQIDSS－8mAUDSQVDD－IDQRd12－8×14V
UDSQVDD－IDQRd－98×056－452V48电路如图45所示，已知VT在UGS5V时的ID225mA，在UGS3V时的ID025mA。现要求该电路中FET的VDQ24V、IDQ064mA，试求：1管子的K
和Uth的值；2Rd和RS的值应各取多大？解：（1）IDK
UGSUth2225K
5UTh2025K
3Uth2→Uth135V不合理，舍去，Uth22V求得：K
025mAV2，Uth2V（2）VDQVDDIDQRd2412－064Rd→Rd15kΩ
064025UGSQ22→UGSQ104V不合理，舍去
UGSQ10－064Rs∴Rs10kΩ
UGSQ236V
49电路如图46所示，已知FET的Uth3V、K
01mAV2。现要求该电路中FETr