度入射光下工作时，或者希望得到较大的输出功率时，也可以配以放大电路，如图3（b）所示。
图2
图3
由光通量对光电元件的作用原理不同所制成的光学测控系统是多种多样的按光电元件光学测控系统输出量性质可分二类即模拟式光电传感器和脉冲开关式光电传感器模拟式光电传感器是将被测量转换成连续变化的光电流它与被测量间呈单值关系模拟式光电传感器按被测量检测目标物体方法可分为透射吸收式漫反射式遮光式光束阻档三大类所谓透射式是指被测物体放在光路中恒光源发出的光能量穿过被测物部份被吸收后透射光投射到光电元件上，如测液体、气体透明度和混浊度的光电比色计等所谓漫反射式是指恒光源发出的光投射到被测物上再从被测物体表面反射后投射到光电元件上，如光电比色温度计和光照度计等所谓遮光式是指当光源发出的光通量经被测物光遮其中一部份使投射刭光电元件上的光通量改变改变的程度与被测物体在光路位置有关，如振动测量、工件尺寸测量；而在脉冲式光电传感器中在这种传感器中，光电元件接受的光信号是断续变化的，因此光电元件处于开关工作状态，它输出的光电流通常是只有两种稳定状态的脉冲形式的信号，多用于光电计数和光电式转速测量等场合。光电测量时不与被测对象直接接触光束的质量又近似为零在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多应用场合，光电式传感器比其他传感器有明显的优越性。12光电效应光照在照在光电材料上，材料表面的电子吸收的能量，若电子吸收的能量足够大时，电子会克服束缚脱离材料表面而进入外界空间，从而改变光电子材料的导电性，这种现象成为外光电效应。光电效应又可分为外光电效应和内光电效应，外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述：hv12mv0的平方。式中hv为光子具有能量，h为普朗克常数，v为光频率。m为电子质量，v0为电子逸出速度。当光子能量等于或大于逸出功时才能产生外光电效应。因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频极限。二、光电传感器的发展状况1839年AE贝可勒尔发现当光线落在浸没于电介液中的两个金属电极上，它们之间就产生电势，后来称这种现象为光生伏特效应。1873年W史密斯和Ch梅伊发现硒的光电导效应。1887年HR赫兹发现外光电效应。基于外光电效应的光电管和光电倍增管属真空电子管或离子管器件，曾在50～60年代广泛应用，直到目前仍在某些场合继续使用。虽然早在1919年TW凯斯就已取得硫化铊光导r