ROM0xF0用于确定挂接在同一总线上DS1820的个数和识别
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64位ROM地址。为操作各器件作好准备。
跳过ROM0xCC忽略64位ROM地址，直接向DS1820发温度变
换命令。适用于单片工作。
告警搜索命0xEC执行后只有温度超过设定值上限或下限的片子才做
令
出响应。
温度变换
0x44启动DS1820进行温度转换，12位转换时最长为
750ms（9位为9375ms）。结果存入内部9字节RAM
中。
读暂存器
0xBE读内部RAM中9字节的内容
写暂存器
0x4E发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命
令，紧跟该命令之后，是传送两字节的数据。
复制暂存器0x48将RAM中第3、4字节的内容复制到EEPROM中。
重调
0xB8将EEPROM中内容恢复到RAM中的第3、4字节。
EEPROM
读供电方式0xB4读DS1820的供电模式。寄生供电时DS1820发送
“0”，外接电源供电DS1820发送“1”。
313DS18B20传感器的初始化时序
DS18B20传感器为单总线结构器件，在读写操作之前，传感器芯片应先进性复位操作也
就是初始化操作。
DS18B20的初始化时序如图32所示。首先控制器拉高数据总线，接着控制器给数据总
线一低电平，延时480μs，控制器拉高数据总线，等待传感器给数据线一个60240μs的低
电平，接着上拉电阻将数据线拉高，这样才初始化完成。
图32DS18B20初始化时序
314DS18B20传感器的读写时序1写时序DS18B20传感器的读写操作是在传感器初始化后进行的。每次操作只能读写一位。
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当主机把数据线从高电平拉至低电平，产生写时序。有两种类型的写时序：写“0”时序，写“1”时序。所有的时序必须有最短60μs的持续期，在各个写周期之间必须有最短1μs的恢复期。
在数据总线由高电平变为低电平之后，DS18B20在15μs至60μs的时间间隙对总线采样，如果为“1”则向DS18B20写“1”，如果为“0”则向DS18B20写“0”。如图32的上半部分。
对于主机产生写“1”时序时，数据线必须先被拉至低电平，然后被释放，使数据线在写时序开始之后15μs内拉至高电平。
对于主机产生写“1”时序时，数据线必须先被拉至低电平，且至少保持低电平60μs。2读时序在数据总线由高电平变为低电平之后，数据线至少应保持低电平1μs，来自DS18B20的输出的数据在下降沿15μs后有效，所以在数据线保持低电平1μs之后，主机将数据线拉高，等待来自DS18B20的数据变化，在下降沿15μs之后便可开始读取DS18B20的输出数据。整个读时序必须有最短60μs的持r