湿法刻蚀在晶体硅太阳能电池生产中的应用
摘要：湿法刻蚀可以用来代替太阳能电池生产中通常使用的等离子刻蚀，将扩散后正面和背面的p
结分开。在太阳能电池的生产工艺中，湿法刻蚀的背腐蚀效果的优劣决定了太阳能电池的腐蚀效果和清洗效果，且会对制程的管控造成严重的影响。本文主要总结了HFHNO3体系的背腐蚀原理，并对氢氟酸，硝酸等化学品的配比，流量，温度等对太阳能电池片的影响做了分析。关键词：背腐蚀；流量；温度；太阳能电池引言硅材料中含有大量的杂质和缺陷，导致硅中少数载流子寿命及扩散长度降低。为提高硅太阳电池的效率，首先必须对硅材料中具有电活性的杂质和缺陷进行钝化和清洗。近年来，湿法刻蚀的钝化作用和清洗引起人们广泛的关注，它具有低温、高效率、成本低等优点，并能一次性完成钝化和清洗去除杂质。一系列的文章都报导了采用湿法刻蚀能够去除硅表面的杂质和金属离子，最终提高电池的效率。硅刻蚀技术在光电子器件1、压电电阻2、量热光检测3、基因芯片4等多种领域均有广泛应用。化学刻蚀因其方法简单、操作容易、适合于大面积硅片蚀刻和大规模生产的特点倍受关注。湿法刻蚀是刻蚀的一种方法，其他的有干刻蚀，等离子刻蚀等。湿法刻蚀是利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶片部分分解，然后转成可溶的化合物达到去除的目的。这种刻蚀技术主要是借助腐蚀液和晶片材料的化学反应，因此我们可以借助化学试剂的选取、配比以及温度的控制等来达到合适的刻蚀速率和良好的刻蚀选择比。本文主要总结了HFHNO3体系的背腐蚀原理，并对氢氟酸，硝酸等化学品的配比，流量，温度等对太阳能电池片的影响做了分析。湿法刻蚀定义及工艺11湿法刻蚀的定义湿法刻蚀：一般将硅片放入具有确定化学成分和固定温度的腐蚀液体里通过化学反应来进行的腐蚀。一般湿法刻蚀是各向同性的。硅的各向同性腐蚀是指腐蚀速率与晶向晶面基本无关，在各个方向上硅的腐蚀速度相等。硅在腐蚀液中的腐蚀受到多种因素的影响，例如温度及配比等对腐蚀速率和形貌都有大影响。一般腐蚀速率随温度升高而增大，并呈指数关系，而且不同配比的腐蚀剂其腐蚀速率随温度变化的快慢也有差异。另外，不同配比的腐蚀液，腐蚀速率也不同。硅的各向异性腐蚀，是指对硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率。12湿法刻蚀的原理
f湿法刻蚀其实是腐蚀的一种，是对硅片边缘的腐蚀，但不影响太阳电池的工艺结构，是把去除磷硅玻璃工艺和等离子刻蚀工r