路中缓冲电阻产生的损耗为PLI2f＋CUd2f式中：L为主电路中的分布电感I为IGBT关断时的集电极电流f为IGBT的开关频率C为缓冲电容Ud为直流电压值。放电阻止型缓冲电路如图4d所示与RCD缓冲电路相比其特点是产生的损耗小适合于高频开关。在该缓冲电路中缓冲电阻上产生的损耗为P12LI2f12CUf根据实际情况选取适当的缓冲保护电路抑制关断浪涌电压。在进行装配时要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感接线越短越粗越好。
fIGBT在不间断电源的应用本文转自电子工程世界：httpwwweeworldcomc
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