边界，并与线框的bc边平行，磁场方向与线框平面垂直．现金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落，图9－3－4乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v－t图像．已知金属线框的质量为m，电阻为R，当地的重力加速度为g，图像中坐标轴上所标出的字母v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均为已知量．下落过程中bc边始终水平根据题中所给条件，以下说法正确的是．
图9－3－4
fA．可以求出金属框的边长B．线框穿出磁场时间t4－t3等于进入磁场时间t2－t1C．线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向相同D．线框穿出磁场与进入磁场过程产生的焦耳热相等解析由线框运动的v－t图像，可知0～t1线框自由下落，t1～t2线框进入磁场，t2～t3线框在磁场中只受重力作用加速下降，t3～t4线框离开磁场．线框的边长l＝v3t4－t3选项A正确；由于线框离开时的速度v3大于进入时的平均速度，因此线框穿出磁场时间小于进入磁场时间，选项B错；线框穿出磁场与进入磁场过程所受安培力方向都竖直向上，11选项C正确；线框进入磁场mgl＝Q1＋mv22－mv12，线框离开磁场mgl＝Q2，可见Q1Q2，22选项D错．答案AC5．如图9－3－5甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图9－3－5乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是取平行斜面向上为正方向
图9－3－5
解析在0～t2内，磁场随时间均匀变化，故回路中产生的感应电流大小方向均恒定，所以PQ受到的安培力F＝BIL∝B，方向先沿斜面向上，t1时刻之后方向变为沿斜面向下，故A项正确，B项错；静摩擦力f＝mgsi
θ－BIL，若t＝0时刻，mgsi
θBIL，则f刚开始时沿斜面向上，若t＝0时刻，mgsi
θBIL，则f刚开始时沿斜面向下，C、D都有可能正确极限思维法．答案ACD
6．如图9－3－6甲，在虚线所示的区域有垂直纸面向里的匀强磁场，磁场变化规律如图9－3
f－6乙所示，面积为S的单匝金属线框处在磁场中，线框与电阻R相连．若金属框的电阻R为，则下列说法正确的是2．
图9－3－6A．流过电阻R的感应电流由a到bB．线框cd边受到的安培力方向向下2B0SC．感应电动势大小为t02B0SD．ab间电压大小为3t0解析本题考查电磁感应及闭合电路相关知识．由乙图可以看出磁场随时间均匀增加，根据楞次定律及安培定则可知，感应电流方向r