越高。所以变电站采用综合自动化系统，能更好地实施无人值班，其减员增效的优势尤为突出。
4电子技术的发展前景
41电子技术发展方向411高集成化、大容量化、超小型化、大型化
半导体集成电路是信息化社会的“神经”电路。设计尺寸15年缩小1个数量级，1970年为10μm，1985年1μm，1995年03μm，2000年01μm。此外，已有能够工作的004μm器件。虽然似乎还没有达到物理极限，但人们已在讨论后微米时代。DRAM集成度的提高，继续保持3年4倍的速度。1970年DRAM集成度为1kb，1980年64kb，1995年64Mb，2000年1Gb，预期2014年单片256Gb的存储芯片可付诸实用。1970年使用50mm的晶圆片，1980年125mm，1995年200mm，2001年300mm，400mm晶圆片已开始研发，未来晶圆片可望达1m。非挥发性存储器之～EPROM的集成度从1992年的4M开始，1996年64M量产，2017年可望出现100Gb以上的非挥发性RAM。412低功耗、易使用性和高生产率
当前的信息化，无论它的传输、存储，还是加工处理，一切都使用半导体，半导体技术无疑是信息社会的基础。半导体LSI的发展方向有两方面：①开发新的芯片结构：②引入新材料。
为防止地球升温正积极开发太阳电池清洁能源。在减少功耗方面，计划开发功耗不到10mW，而性能达10GIPS的处理器。电话之后是可视电话，宽带无线终端前途可期，语音识别、自动翻译等功能将一一实现。413高速化、超平列化、高感度化
LSI的开关速度可提高到1皮秒以下，高频宽带固体放大器将达100～1000GHz。取代晶体管的新器件课题有“具有放大功能的超导3端器件”，“单原子工作的超高速、超高集成开关器件”，“TIPS103GIPS级微处理器”，“10～100
m分辨率的x射线显微镜”，“100万神经元规模的半导体神经芯片”以及“高温超导材料”，等等。42当今电子技术发展趋势
f当今电子技术领域着眼于绿色环保与节能方向的产品研发。
2009年10月，日本最大的电子展“CEATECTAPAN2009”在幕张国际会展中心开幕，以“数字融合：创造明天连通未来”为主题的展览，向世界展示了当今最领先的电子元件产品。例如村田研发的锂离子二次电池，可以更加充分地利用原有锂离子电池进行二次供电。同时，村田公司亦展示了最新产品在燃料电池和太阳光发电等清洁能源领域中的应用。增加设备附加功能的展区重点展示了通信模块和传感器技术，包括低功耗蓝牙、WirelessHD视频传输模块、WiFi、RFID应用等模块产品以及各种最新传感器技术。特别是指纹认证和生物特征传感器令人眼前一亮。展示还包括只能通过放大镜观看的最小陶瓷电容器等节省空间的元件以及抗噪声和ESD保护解决r