按【取消】键退出到监控指示灯显示为【ES03】，或按【RST】退到步骤2初始状态进行实
验选择。拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮灭亮。在监控指示灯显示【ES03】状态下，按【确认】键，监控指示灯显示为【CtL】，输入2表示准备对RAM进行读数据，在输入过程中，可按【取消】键进行输入修改。按【确认】键，监控指示灯显示【Addr】，提示输入2位16进制数地址，输入“00”，按【确认】键，监控指示灯显示【PULSE】，提示输入单步，按【单步】键，完成对RAM一条数据的读出，数据总线显示灯（绿色）显示“0011001101000100”，即数据“3344”，地址显示灯显示“00000000”，即地址“00”，监控指示灯重新显示【Addr】，重复上述步骤读出表3－1的所有数据，注意观察数据总线显示灯和地址显示灯之间的对应关系，检查读出的数据是否正确。
注：6116为静态随机存储器，如果掉电，所存的数据将丢失！
Ⅱ、开关控制操作方式实验
注：为了避免总线冲突，首先将控制开关电路的所有开关拨到输出高电平“1”状态，所有对应的指示灯亮。本实验中所有控制开关拨动，相应指示灯亮代表高电平“1”，指示灯灭代表低电平“0”。连线时应注意：对于横排座，应使排线插头上的箭头面向自己插在横排座上；对于竖排座，应使排线插头上的箭头面向左边插在竖排座上。1．按图3－5接线图接线：
fBD15……BD8BD7……BD0数据总线
DIJ2DIJG
DIJ1数据输入电路
fi

f8
脉冲源
T3
MDJ1
MDJ2
主存储器电路
WE
MAJ1CE
WR控制总线
T3
CE
控
WE
制
开LAR关
CG
图3－5实验三开关实验接线图
AD7……AD0地址总线
微控器接口WEILARI
2、拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮灭亮。
3、往存储器写数据：
以往存储器的（FF）地址单元写入数据“AABB”为例，操作过程如下：
操作
1CG12置数据输入电路
D15D0＝“0000000011111111”3CE14CG0
显示
绿色数据总线显示灯显示“0000000011111111”
操作
1LAR12T31（按【单步】）
显示
地址寄存器电路黄色地址显示灯显示“11111111”
操作
1CG12置数据输入电路D15D0＝“1010101010111011”3LAR04CG0
显示
绿色数据总线显示灯显示“1010101010111011”
操作
1WE12CE03T31
按【单步】4WE0
4、按上述步骤按表3－2所列地址写入相应的数据
地址（二进制）
数据（二进制）
00000000
0011001100110011
01110001
0011010000110100
01000010
0011010100110101
01011010
0101010101010101
f10100011
0110011001100110
11001111
1010101110101011
11111000
0111011101110111
11100110
1001110110011011
表3－2
5、从r