楷体，3号15倍行距，段前0行，段后05行
蚌埠学院毕业设计（论文）文献综述
单层膜巨磁阻抗效应的研究现状与发展趋势
黑体加粗，5号15倍行距学生姓名：徐晓锦指导教师：陈卫平
楷体，4号单倍行距
摘要：本文简要介绍了巨磁阻抗效应及其理论研究概况，阐述单层膜横向各向异性、驱动电流频
率和外加直流磁场方向对巨磁阻抗效应的影响，并介绍其研究发展趋势。
宋体，5号15倍行距段前0行，段后0行
关键词：巨磁阻抗效应；单层膜；趋肤效应
宋体，5号15倍行距段前0行，段后0行
黑体加粗，5号
1课题背景、作用及意义
自从1992年由日本名标古题屋1：大学的Mohri等人1在FeCoSiB非晶丝中首次发现巨磁阻抗效应以来，巨磁阻大行抗纲距效级，应别段前材1，1料黑行受体，，段到4后材号1料，行单科倍技工作者的高度重视。材料的阻抗
随外加直流磁场的变化而变化的现象称为巨磁阻抗效应（Gai
tmag
etoimpeda
ce
effect），简称GMI效应1。该效应具有高灵敏度、低饱和场、响应快、无磁滞、稳
定性好的优点在磁记录和磁传感器14等方面有着巨大的应用前景，成为现代磁电子
学领域中的研究热点之一2。………………………………………………………………
正文：首行缩进2字符，宋体，小4号，15倍行距，段前0行，段后0行
2研究现状
标题2：大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行
从理论上讲，薄膜的巨磁阻抗效应可以利用经典电动力学和铁磁学进行解释。GMI效应是一种经典电磁效应。在高频下，外加直流磁场通过改变材料的有效磁导率来改变高频电流的趋肤深度，从而间接改变材料的阻抗。………………………
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21国内研究现状及发展趋势………………………………………………………………
大纲级别2黑体，小4号，15倍行距段前05行，段后05行
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图1Fe88Zr7B51xCuxX0，3，4样品纵向磁阻抗比随磁场的变化关系。
22国外研究现状及发展趋势………………………………………………………………
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3尚待研究的问题
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4总结与展望
标题3：大纲级别1，黑体，4号，单倍行距，段前1行，段后1行
自1992年KMohri等人在FeCoSiB非晶丝中发现巨磁阻抗效应至今r