书山有路勤为径，学海无涯苦作舟
SOI高g值压阻式加速度传感器与工艺实现
基于SO微机电系统MEMS加速度传感器是一种重要的惯性测量器件，具有体积小、重量轻、响应快、易于加工等优点，目前已广泛应用于汽车、航空航天、军事等领域。其中高g值加速度传感器在军事领域具有非常重要的应用价
值，可以感知导弹的飞行状态、硬目标侵彻时产生的冲击力等。在具有较大惯性载荷的军用场合，需要测量的加速度高达几万甚至几十万加速度，这就要求加速度计不仅需要高的灵敏度，还要具有高的谐振频率与抗冲击能力。目前中国在高g值加速度计研究方面与国外还存在较大差距，由于国外
该领域的技术封锁迫切需要研发出可应用于动态撞击过程及高速运动过程中冲击载荷测量的高g值加速度传感器。针对目前航空航天，特别是导弹引信等军
事领域对高g值加速度传感器的迫切需求，充分利用SO1、高g值压阻式加速度传感器的结构与制备SO1备片：准备一块双面抛光的SO2初氧：对SO3匀胶、光刻一次光刻：在下层硅上旋涂正胶，利用第一块掩模板对光刻胶进行光刻、显影、后烘后再刻蚀氧化层，以氧化层作保护层，刻蚀下层硅，形成背面浅槽。刻蚀5um浅槽，为后续释放结构形成可动部件，该层版4背面淀积铝层：对上步硅片去胶清洗后，背面淀积金属铝层。5背面深刻二次光刻：在上步工艺后的下层硅铝层上经过匀胶、前烘、光刻、显影和后烘后，对铝层进行刻蚀，再以铝层作为保护层，刻蚀下本文设计的二维平面内振动
f书山有路勤为径，学海无涯苦作舟
层硅，形成质量块。质量块与主悬臂梁，该层版6键合：对上步硅片进行去胶、清洗、退水等处理后，利用键合技术，进行下层硅与玻璃的键合完成下盖板的封装。7重掺杂、三次光刻：上层硅开孔。对上层硅进行重掺杂，形成欧姆接触区，开孔尺寸为8um乘以8um，该层掩模板为负版，与第二层板进行套
刻，考虑到透光区域少，难对准，该层掩模板打开划片区。在上层硅进行匀胶、前烘，利用第三块掩模板进行光刻、显影、后烘等处理后，刻蚀氧化层，以氧化层作为保护层，进行B离子的注入。8金属引线刻蚀四次光刻：对上步硅片进行去胶、清洗等处理后，淀积一层金属铝，再进行匀胶利用第四块掩模板进行光刻，进过后烘等一系列处理后，刻蚀金属铝，形成铝布线。其中金属线宽度最小为20um，电极尺寸为200um乘以300um，电极之间的间距为250um，金属线之间的最小间距为14um。该层板为正版，与第二层板r